制造商编号SI2356DS-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号B-SI2356DS-T1-GE3 供货富昌电子代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 Si2356DS Series 40 V 3.2 A 51 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-23-3 数据手册发送到邮箱 ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号SI2356DS-T1-GE3-VB 商品编号C7463637 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.0429克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 6.5A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率...
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI2356DS-T1-GE3 商品编号 C74127 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)4.3A ...
半导体 - 分立器件 FET 单MOSFET 打印页面 功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, 表面安装 图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商VISHAY 制造商产品编号SI2356DS-T1-GE3 库存编号2646369 技术数据表 Data Sheet
SI2356DS-T1-GE3 库存编号:78-SI2356DS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFETs 40V Vds 12V Vgs SOT-23243202 1起订1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 3000+ 6000+ 9000+ 24000+ ¥4.61 ¥2.58 ¥1.56 ¥1.51 ¥1.46 ¥1.12 ¥1.08 ¥1.04 ¥1.01
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原厂型号:SI2356DS-T1-GE3 品牌:VISHAY(威世) 封装/规格:SOT-23商品编号:SI2356DS-T1-GE3 标准包装:3000 规格书 / 封装库 阶梯数量单价(含增值税) 10+: ¥2.11796 / 个 200+: ¥1.58403 / 个 800+: ¥1.22808 / 个 3000+: ¥0.88988 / 个 ...
制造商型号:SI2356DS-T1-GE3 制造商: Vishay Siliconix 封装:TO-236 产品类别: 商品描述:MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 定价(未税) 数量单价总价 12.662.66 库存数量:70595发货时间:最小起订:1 包装:卷盘 单价:¥2.66总价:¥2.66 联系客服 ...
SI2356DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix - 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商型号:SI2356DS-T1-GE3 制造商: Vishay Siliconix 封装:TO-236 产品类别: 商品描述:MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23 定价(未税) 数量总价 1 2.66 2.66库存数量:70595 发货时间: 最小起订:1 包装:卷盘 单价:¥2.66 总价...