制造商编号 SI2356DS-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 B-SI2356DS-T1-GE3-0 供货 富昌电子 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 Si2356DS Series 40 V 3.2 A 51 mOhm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-23-3...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号SI2356DS-T1-GE3-VB 商品编号C7463637 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.0429克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 6.5A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率...
爱企查为您提供深圳市星未名科技有限公司SI2356DS-T1-GE3 场效应管 VISHAY/威世 封装SOT-23-3 批次23+等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多Te连接器、harting连接器、单片机信息,请访问爱企查!
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数据表 SI2356DS-T1-GE3.pdf IRLML0040TRPBF.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Rds On(Max)@Id,Vgs 56mΩ 56mΩ@3.6A,10V 漏源极电压Vds 1.5V 40V Pd-功率耗散(Max) 960mW(Ta),1.7W(Tc) 1.3W(Ta) 栅极电压Vgs ±12V ±16V 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V ...
SI2356DS-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售。SI2356DS-T1-GE3价格参考￥0.97。VISHAY(威世) SI2356DS-T1-GE3参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):4.3A;导通电阻(RDS(on)):70mΩ@2.5V,2A;耗散功率(Pd):960mW;阈值电压(Vgs
SI2356DS-T1-GE3-VISHAY-晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 40 V, 0.042 ohm, 10 V, 1.5 V. 现在就预定 SI2356DS-T1-GE3! 质优价廉, 发货迅速的 VISHAY 现货产品。
原厂型号:SI2356DS-T1-GE3 品牌:VISHAY(威世) 封装/规格:SOT-23商品编号:SI2356DS-T1-GE3 标准包装:3000 规格书 / 封装库 阶梯数量单价(含增值税) 10+: ￥1.99322 / 个 200+: ￥1.49069 / 个 800+: ￥1.15574 / 个 3000+: ￥0.83748 / 个 ...
盛芯电子元器件商城为您提供 SI2356DS-T1-GE3 由Vishay Siliconix设计生产,在 盛芯商城 现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。SI2356DS-T1-GE3 价格参考2.66。AMI SI2356DS-T1-GE3 封装/规格:位置传感器,SENSOR ANGLE 360DEG SMD。 你可以下载SI2356DS-T1-GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据...
库存类型&价格:自营现货 参考价(含税价) 1+询价 自营现货库存:0 PCS(一整包装有3000PCS) 订货数量: -+ 合计:¥0 已下架 品牌: VISHAY(威世) 商品型号:SI2356DS-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:SOT-23 (SC-59,TO-236) 数据手册: 商品编号:L107318615...