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商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SI2369DS、 T1、 GE3、 VISHAY、 威世、 SOT、 23 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 封装: SOT-23 批号: 1年内 数量: 250000 制造商: VishaySiliconix 系列: TrenchFET® FET类型: P通道 漏源电压(Vdss): 30V 25°C时电...
商品型号 SI2369DS-T1-GE3-VB 商品编号 C5878838 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.020635克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)5.4A 导通电阻(RDS(on))- ...
爱企查为您提供深圳市英德州科技有限公司VISHAY/威世 SI2369DS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多集成电路IC、电子元器件、二三极管、
制造商编号 SI2369DS-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 C-SI2369DS-T1-GE3 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 ±20V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 7.6A 29mΩ...
SI2369DS-T1-GE3是一款P沟道30V功率MOSFET, ±20V栅-源电压。采用Trench MOSFET®技术。 100% Rg经过测试 无卤素 找到1件产品 原产地: 原产地:China 进行最后一道重要生产流程所在的地区 税则号:85412900 US ECCN:EAR99 EU ECCN:NLR RoHS 合规:是 ...
SI2369DS-T1-GE3是一款P沟道30V功率MOSFET, ±20V栅-源电压。采用Trench MOSFET®技术。 100% Rg经过测试 无卤素 技术规格 通道类型 P通道 电流, Id 连续 7.6A 晶体管封装类型 SOT-23 Rds(on)测试电压 10V 功率耗散 2.5W 工作温度最高值 150°C 合规 - SVHC(高度关注物质) No SVHC...
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型号:SI2369DS-T1-GE3 品牌:Vishay(威世) MOSFETs Vishay SI2369DS-T1-GE3 --- 0(1起订) ¥2.85520 ▼ 当前型号 加入购物车 型号: DMP1045U-7 品牌:DIODES PIN to PIN MOSFETs 数据手册 2525(30起订) ¥0.36000 ▼ SI2369DS-T1-GE3(Vishay)和DMP1045U-7(DIODES)的区别 加入购物车 型号...
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