型号 SI2369DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2369DS-T1-GE3 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 8V 长度: 1.4mm 宽度: 9.7mm 高度: 2mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交...
型号 SI2369DS-T1-GE3 封装/规格 SOT23-3 封装 SOT23-3 批号 21+ 数量 30250 类别 分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET- 制造商 VishaySiliconix 系列 TrenchFET® FET类型 P通道 漏源电压(Vdss) 30V Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 工作温度 -55°C~150...
型号: SI2369DS-T1-GE3 批号: 19+ 封装: SOT23-3 数量: 9000 QQ: 2248113446 描述: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 原厂标准交货期: 14 周 详细描述: 表面...
百度爱采购为您找到132条最新的SI2369DS-T1-GE3产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
型号: SI2369DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 10000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.6A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5...
型号: SI2369DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 15000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 7.6 A Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms Vgs - 栅极...
型号 SI2369DS-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY/威世 型号: SI2369DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 23+ 数量: 5800 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流:...
SI2369DS-T1-GE3 场效应管 VISHAY 批号21+ 价格 ￥0.78 ￥0.52 ￥0.51 起订量 1个起批 100个起批 1000个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;晶体管;其他晶体管 产品标签 SI2369DS-T1-GE3;VISHAY 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市比恩瑞电子有限公司 ...
集成电路(IC)-电源IC-SI2369DS-T1-GE3-VISHAY-原厂标准-两年内.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订...
型号: SI2369DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批次: 21+ 数量: 30000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.6A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5...