型号: SI2369DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 23+ 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 8V 长度: 4.7mm 宽度: 7.1mm 高度: 2.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
型号: SI2369DS-T1-GE3 批号: 19+ 封装: SOT23-3 数量: 9000 QQ: 2248113446 描述: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 原厂标准交货期: 14 周 详细描述: 表面...
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型号 SI2369DS-T1-GE3 技术参数 品牌: vishay 型号: SI2369DS-T1-GE3 封装: SOT-23 数量: 5488 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 7.6 A Rds On-...
集成电路(IC)-电源IC-SI2369DS-T1-GE3-VISHAY-原厂标准-两年内.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订...
型号: SI2369DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批次: 21+ 数量: 30000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.6A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5...
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 型号 SI2369DS-T1-GE3 翔鸥贸易官方网站:http://xochips.com/ 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而...
其它名称 SI2369DS-T1-GE3TR FET 类型 P 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.6A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 ...
型号: SI2369DS-T1-GE3 封装: SOT-23 批号: 23+ 数量: 8392 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 7.6 A Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms Vgs - 栅极...
型号: SI2369DS-T1-GE3 批号: 19+ 封装: SMD/DIP 数量: 852000 QQ: 9511838 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 7.6 A Rds On-漏源导通电阻...