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品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号SI2356DS-T1-GE3-VB 商品编号C7463637 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.0429克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 6.5A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率...
SI2356DS-T1-GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售。SI2356DS-T1-GE3价格参考￥0.97。VISHAY(威世) SI2356DS-T1-GE3参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):4.3A;导通电阻(RDS(on)):70mΩ@2.5V,2A;耗散功率(Pd):960mW;阈值电压(Vgs
数据表 SI2356DS-T1-GE3.pdf IRLML0040TRPBF.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Rds On(Max)@Id,Vgs 56mΩ 56mΩ@3.6A,10V 漏源极电压Vds 1.5V 40V Pd-功率耗散(Max) 960mW(Ta),1.7W(Tc) 1.3W(Ta) 栅极电压Vgs ±12V ±16V 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V ...
上海含颍电子科技有限公司 3年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 MOS管 SI2356DS-T1-GE3-VB SOT23-3微碧半导体场效应管晶体批量可谈 SI2356DS-T1-GE3-VB 99999 VBsemi/微碧半导体 SOT-23 24+ ￥1.0000元10~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 4年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 ...
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原厂型号:SI2356DS-T1-GE3 品牌:VISHAY(威世) 封装/规格:SOT-23商品编号:SI2356DS-T1-GE3 标准包装:3000 规格书 / 封装库 阶梯数量单价(含增值税) 10+: ￥1.99322 / 个 200+: ￥1.49069 / 个 800+: ￥1.15574 / 个 3000+: ￥0.83748 / 个 ...