零件号别名 SI2323DS-E3 单位重量 40 mg 可售卖地 全国 型号 SI2323DS-T1-E3 代理各品牌集成电路IC 货源稳定 长期供应 提供电子元器件一站式采购 PDF资料 电子管-场效应管-SI2323DS-T1-E3-VISHAY/威世-SOT-23-1年内.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
SI2323DS-T1-E3是一款P沟道TrenchFET®功率MOSFET,功耗为1.25W. ±8V栅-源电压 无卤素 应用 工业 SI2323DS-T1-E3中文参数 工业制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel ...
制造商编号SI2323DS-T1-E3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号J-SI2323DS-T1-E3 供货Element14代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 Single P-Channel 20 V 0.039 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 ...
爱企查为您提供SI2323DS-T1-E3 VISHAY SOT23-3 MOS场效应管 分立半导体 晶体管,深圳市瑞芯成电子有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。场效应管;场效应管批发;场效应管行情报价;场效应管价格;场效应管底价;场效应管图片;场效应管厂家;场效应管生产厂家;场
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A 品牌名称MSKSEMI(美森科) 商品型号SI2323DS-T1-E3-MS 商品编号C5343295 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.036克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 - 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 4.5A 导通电阻(RDS...
SI2323DS-T1-E3 30250 VISHAY(威世) SOT23-3 21+ ￥8.0000元10~199 PCS ￥7.0000元200~2999 PCS ￥3.9500元3000~-- PCS 深圳市瑞芯成电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 VISHAY代理SI2323DS-T1-E3主营威世芯片一级代理商原厂全新 SI2323DS-T1-E3 ...
SI2323DS-T1-E3手册 SI2323DS-T1-E3概述 SI2323DS-T1-E3 产品概述 SI2323DS-T1-E3是VISHAY(威世)公司推出的一款高性能P沟道MOSFET(场效应晶体管),其全面的电气特性和可靠的性能使其适用于多种电子电路应用。该器件的关键参数包括漏源电压(Vdss)为20V,最大连续漏极电流(Id)为3.7A,并且具备较低的漏源导通电...
型号SI2323DS-T1-E3DMP2035U-7 唯样编号A36-SI2323DS-T1-E3A-DMP2035U-7 制造商VishayDiodes Incorporated 供应商唯样自营唯样自营 分类通用MOSFET功率MOSFET 描述Single P-Channel 20 V 0.039 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 数据表 SI2323DS-T1-E3.pdf ...
SI2323DS-T1-E3 P沟道MOS场效应管 封装 SOT-23 3.7A/20V 晶体管 嘉沂发(深圳)电子科技有限公司 11年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.18 SI2323DS-T1-GE3 SOT23-3封装 P沟道场效应管(MOSFET)20V/3.7A 睿博通半导体(深圳)有限公司 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳...
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