型号 SI2337DS-T1-E3 本店铺由于型号品种类繁多,价格时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才拍,买家咨询的时候请说清楚(完整型号。封装。数量)以便我们及时报价,本店不接受拍下后仪价。本公司所销售的产品一切承诺给予客户,保证原厂正品,保证质量,坚持原装,品质保证,杜绝假货为基本原则。为顾客提供全方位电子元...
型号: SI2337DS-T1-E3(一级代理 原厂技术对接 全线稳定供应 终端工厂免费送样 ) 封装: NA 批号: 1年内 数量: 39000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 8.5V 长度: 8.9mm 宽度: 8.9mm 高度: 2.1mm 价格说明 价格:商品在爱...
型号: SI2337DS-T1-E3 封装: SOT-23 批号: 23+ 数量: 20000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 8.5V 长度: 8.6mm 宽度: 7.2mm 高度: 2.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生...
型号 SI2337DS-T1-E3 封装/规格 SOT-23-3 封装 SOT23-3 批号 21+ 数量 30250 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单个 系列 TrenchFET® FET类型 P通道 漏源电压(Vdss) 80V Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 760mW(Ta),2.5W(Tc) 工作温度 -50°C~150°C(TJ...
型号 SI2337DS-T1-E3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2337DS-T1-E3 批号: 22+ 数量: 66000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 2.2 A Rds On-漏源导...
SI2337DS-T1-E3 数量 国内价格 50+ ￥0.58512 交货地: 1国内(含增税) 交期(工作日): 6-8工作日 库存: 1 300000(50起订) 数量: X0.58512(单价) 总价: ￥ 29.256 加入购物车立即购买 品牌:JSMSEMI 型号:SI2337DS-T1-E3 商品编号: 封装规格:SOT-23-3 商品描述: ...
SI2337DS-T1-E3由Vishay设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过digikeychip1stopcorestafffuture等渠道进行代购。 SI2337DS-T1-E3 价格参考￥ 6.0768 。 Vishay SI2337DS-T1-E3 封装/规格: SOT-23, MOSFETs P-Channel VDS=80V VGS=±20V ID=2.2A RDS(ON)=270mΩ@10V SOT23-3。你可以下载 SI2337DS-T1-...
原装RF耦合器 晶体管 电容器 电阻器 电感器 锡 SI2337DS-T1-E3 晶振 场效应管 保险丝 更新时间:2024年04月12日 安全无小事,筑牢校园安全线 价格 ￥0.76 ￥0.67 ￥0.46 起订量 1pcs起批 100pcs起批 1000pcs起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东 东莞 数量 获取底价 查看电话 在线...
SI2337DS-T1-E3TR FET 类型 P 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 760mW(Ta),2.5W(Tc) 工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 ...
VISHAY 场效应管 SI2337DS-T1-E3 MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 价格 ￥0.09 起订量 100个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;晶体管;其他晶体管 产品标签 SI2337DS-T1-E3;VISHAY;SOT-23 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市华裕辉电子有限...