SI2337DS-T1-E3 Descripción MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 Referencia del cliente Descripción detallada Canal P Montaje en superficie 80 V 2.2 A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) SOT-23-3 (TO-236) Hoja de datos Hoja de datos Modelos EDA/CAD SI2337DS-T1-E3 Modelos ...
制造商编号 SI2337DS-T1-E3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 A-SI2337DS-T1-E3 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 Single P-Channel 80 V 0.27 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SI2337DS-T1-E3.pdf 参数信息 常见问题 ...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号SI2337DS-T1-E3 商品编号C83789 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 80V 连续漏极电流(Id) 1.2A 导通电阻(RDS(on)) 270mΩ@10V,1.2A 耗散功...
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制造商型号: SI2337DS-T1-E3 制造商: SILICONIX (威世) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: 国内现货 自营 digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多SI2337DS-T1...
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SI2337DS-T1-E3-VB由VBsemi设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI2337DS-T1-E3-VB 价格参考￥ 0 。 VBsemi SI2337DS-T1-E3-VB 封装/规格: SOT-23, 20Vgs(±V);-2Vth(V)。你可以下载 SI2337DS-T1-E3-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引...
商品型号:SI2337DS-T1-E3 产品状态:在售 封装规格:SOT-23 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103211086 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT-23 包装 盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 80V 25℃时电流-连续漏极(Id) 2.2A(Tc) 驱动电...