SI2318DS-T1-E3 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 3 漏源极电阻 0.036 Ω 极性 N-Channel 耗散功率 1.25 W 阈值电压 3 V 漏源极电压(Vds) 40 V 连续漏极电流(Ids) 3.90 A 上升时间 12 ns 输入电容(Ciss) 540pF @20V(Vds) ...
SI2318DS-T1-E3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售,正品保证,参考价格￥1.1374,封装为SOT-23。商城还提供SI2318DS-T1-E3专业中文资料、详细参数、引脚图、PCB焊盘图,典型应用图,Datasheet数据手册等资料查询和免费下载。参数:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):
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SI2318DS-T1-E3参数 漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A 栅源极阈值电压3V @ 250uA漏源导通电阻45mΩ @ 3.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C)750mW类型N沟道 FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Ta) ...
SI2318DS-T1-GE3 Datasheet PDF Vishay Siliconix Si2318DS Series 40V 3.9A 45mOhm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23-3 SI2318DS-T1-E3 Datasheet PDF Vishay Semiconductor Trans MOSFET N-CH 40V 3A 3Pin SOT-23 T/R SI2318DS-T1-GE3 Datasheet PDF Vishay Semiconductor Trans MOSFET ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 VISHAY、 SOP12、 SI2318DS、 T1、 E3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: SOP12 批号: 24+ 数量: 2227 仓库: 广东仓库 是否原装: 是 产品应用: 电子设备 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 ...
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制造商产品型号:SI2318DS-T1-E3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn...
零件号别名SI2318DS-T1-BE3 SI2318DS-T1 单位重量8 mg SI2318DS-T1-E3 引脚图与封装图 SI2318DS-T1-E3引脚图 库存: 有货 货期: 国内(1~3工作日) 最小起订: 3000 个 整装: ￥10 单价:￥1.001165总价:￥3003.50 价格(含增值税) 数量单价总价 ...
型号 SI2315BDS-T1-E3 主营产品: 各种原装进口元器件,包括集成电路,二三极 管,电源IC,IGBT模块,传感器,电阻电容,晶振,光电耦合,SMD,DIP系类… 产品广泛应用于消费 类电子、电脑及周边、网络通讯、电力安防、电源管理、医疗设备及军工产品、通讯仪器、医疗仪器、 音频设备、 视频显示仪器仪表、 通讯系统 、车载电...