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型号 SI2318DS-T1-E3 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,3.9A 输入电容(Ciss@Vds) 540pF@20V 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱...
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百度爱采购为您找到SI2318DS-T1-E3 SI2319CDS SI2319DS-T1-E3 SI2323CDS-T1-GE3原装现货等,品牌:VISHAY,电源电压:输出降压型DC-DC转换器,功率:2,频率:1.8V600mA,特色服务:ESD保护管,封装:SOT,批号:2019+,年份:2019+,数量:90000,可售卖地:全国,用途:仪器,型号:电子元器件
型号: SI2318DS-T1-E3 批号: 2019+ 封装: SOT23-3 数量: 158500 QQ: 2176148558 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 3.9 A Rds On-漏源导通...
零件号别名 SI2318DS-T1 单位重量 8 mg 可售卖地 全国 型号 SI2318DS-T1-E3 PDF资料 电子管-场效应管-SI2318DS-T1-E3-VISHAY-SOT-23-18+.pdf 下载 联系我们 联系方式 联系人蔡可欣 联系电话13631243264 电子邮箱nicole@cgocmall.com 联系地址 公司地址广东省深圳市福田区华强北站世纪汇都会轩2816-2818室...
型号 SI2318DS-T1-E3 PDF资料 电子管-MOSFET-SI2318DS-T1-E3-VISHAY/威世.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买...
SI2318DS-T1-E3 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 3 漏源极电阻 0.036 Ω 极性 N-Channel 耗散功率 1.25 W 阈值电压 3 V 漏源极电压(Vds) 40 V 连续漏极电流(Ids) 3.90 A 上升时间 12 ns 输入电容(Ciss) 540pF @20V(Vds) ...
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