SI2333CDS-T1-GE3参数展示了其卓越的技术实力。作为一款P沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)为5A，功率(Pd)为2.5W，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为35mΩ@10V,5.1A。这些参数直观地展示了它的性能特点，为用户提供了重要的参考信息。三、工作原理及应用 1. 工作原理 SI2333CDS-T1-GE...
Si2333CDS-T1-GE3全新原装VISHAY威世欢迎询价 P沟道 12V 5.1A 深圳市芯鸿发电子科技有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.52 全新正品SI2333CDS-T1-GE3封装:SOT-23-3 12V 5.1A场效应管MOSFET 深圳市宏桥达半导体有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 ...
品牌名称MSKSEMI(美森科) 商品型号 SI2333CDS-T1-MS 商品编号 C5278008 商品封装 SOT-23-3L 包装方式 编带 商品毛重 0.038克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)18V 连续漏极电流(Id)7A ...
功率MOSFET P-Channel 7.1A(Tc) ±8V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 35mΩ@5.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 12V 5.1A 35mΩ 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2333CDS-T1-GE3 制造商Vishay(威世) ...
SI2333CDS-T1-E3 产品概述 SI2333CDS-T1-E3 是一款由 VISHAY(威世)生产的高效 P 通道 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,特别适合用于电源管理及开关电源应用。该器件采用 SOT-23-3(TO-236)封装,具有良好的散热特性和适合表面贴装的设计,使其在现代电子产品中具有很高的适用性。
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SI2333CDS-T1-GE3-VB 商品编号 C558259 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.054克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)3.5A ...
型号: SI2333CDS-T1-GE3-VB 商品编号: G11696673 封装规格: SOT23-3 商品描述: 台积电流片,长电封测。-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V)封装:'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和...
型号: SI2333CDS-T1-E3 封装: SOT-23-3 (TO-236) 批号: 20+ 数量: 6000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 12 V Id-连续漏极电流: 7.1 A Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms...
SI2333CDS-T1-E3中文资料 Vishay Siliconix Si2333CDS Document Number: 68717S-81445-Rev. A, 23-Jun-08www.vishay.com 1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET ® Power MOSFET APPLICATIONS •Load Switch •PA Switch MOSFET PRODUCT SUMMARY V DS (V)R DS(on) (Ω)I D (...
SI2333CDS-T1-GE3由JSMSEMI/杰盛微设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI2333CDS-T1-GE3 价格参考￥ 0.23 。 JSMSEMI/杰盛微 SI2333CDS-T1-GE3 封装/规格: SOT-23-3, P沟道,-20V,-6.8A,17mΩ@-4.5V。你可以下载 SI2333CDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说...