零件号别名 SI2323DS-E3 单位重量 40 mg 可售卖地 全国 型号 SI2323DS-T1-E3 代理各品牌集成电路IC 货源稳定 长期供应 提供电子元器件一站式采购 PDF资料 电子管-场效应管-SI2323DS-T1-E3-VISHAY/威世-SOT-23-1年内.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
SI2323DS-T1-E3是一款P沟道TrenchFET®功率MOSFET,功耗为1.25W. ±8V栅-源电压 无卤素 应用 工业 SI2323DS-T1-E3中文参数 工业制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel ...
SI2323DS-T1-E3 Vishay 数据手册 通用MOSFET 3.7A(Ta) P-Channel 39 mOhms @ 4.7A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 20V ￥6.608 0 当前型号 DMP2035U-7 Diodes Incorporated 数据手册 功率MOSFET -55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.9A 1.2W 35mΩ 20V 400mV P-Channel ￥0.5785 7,...
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SI2323DS-T1-E3 商品编号 C141511 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.0412克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 3.7A 导通电阻(RDS(on)) 39mΩ@4.5V,4.7...
SI2323DS-T1-E3手册 SI2323DS-T1-E3概述 SI2323DS-T1-E3 产品概述 SI2323DS-T1-E3是VISHAY(威世)公司推出的一款高性能P沟道MOSFET(场效应晶体管),其全面的电气特性和可靠的性能使其适用于多种电子电路应用。该器件的关键参数包括漏源电压(Vdss)为20V,最大连续漏极电流(Id)为3.7A,并且具备较低的漏源导通电...
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制造商编号 SI2323DS-T1-E3-MS 制造商 MSKSEMI(美森科) 授权代理品牌 唯样编号 A-SI2323DS-T1-E3-MS 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 SOT-23分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SI2323DST1E3MS.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击...
SI2323DS-T1-E3 库存编号:SI2323DS-T1-E3Vishay IntertechnologiesPower MOSFET, P Channel, 20 V, 3.7 A, 39 mOhm, TO-236, 3 Pins, Surface Mount - Tape and Reel (Alt: SI2323DS-T1-E3)159000 1起订1-2周询价 日本2号仓库+5仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就...
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