型号 SI2315BDS-T1-E3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SI2315BDS-T1-E3 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 3.5V 最大电源电压: 6.5V 长度: 4mm 宽度: 7.5mm 高度: 1.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的...
制造商编号SI2315BDS-T1-E3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号D-SI2315BDS-T1-E3 供货海外代购D代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 Single P-Channel 12 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 ...
型号 SI2315BDS-T1-E3 主营产品: 各种原装进口元器件,包括集成电路,二三极 管,电源IC,IGBT模块,传感器,电阻电容,晶振,光电耦合,SMD,DIP系类… 产品广泛应用于消费 类电子、电脑及周边、网络通讯、电力安防、电源管理、医疗设备及军工产品、通讯仪器、医疗仪器、 音频设备、 视频显示仪器仪表、 通讯系统 、车载电源...
制造商产品型号:SI2315BDS-T1-E3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):12V 25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn...
商品型号:SI2315BDS-T1-E3 产品状态:在售 封装规格:SOT-23-3 数据手册: 商品编号:L103201059 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT-23-3 包装 圆盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 12V 25℃时电流-连续漏极(Id) 3A(Ta) 驱动电压(...
SI2315BDS-T1-E3现货_参数_价格_Vishay / Siliconix SI2315BDS-T1-E3简述 制造商:Vishay / Siliconix 批号:新批次 描述:MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W SI2315BDS-T1-E3详细参数 SI2315BDS-T1-E3价格 其他说明 价格有优势,SI2315BDS-T1-E3国内现货当天可发货。
通用MOSFET 3A(Ta) P-Channel 50 mOhms @ 3.85A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 12V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2315BDS-T1-E3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号G-SI2315BDS-T1-E3 ...
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SI2315BDS-T1-E3 Vishay 数据手册 通用MOSFET 3A(Ta) P-Channel 50 mOhms @ 3.85A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 12V ￥2.551 0 当前型号 IRLML6401TRPBF Infineon 数据手册 功率MOSFET ±8V 1.3W(Ta) 50mΩ@4.3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 4.3A 12V SOT-23 暂无价...