通用MOSFET 3.5A(Tc) P-Channel 88 mOhms @ 3.5A,10V 1.1W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3 -55℃~150℃ 30V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SI2307CDS-T1-E3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号C-SI2307CDS-T1-E3 ...
品牌名称JSMSEMI(杰盛微) 商品型号 SI2307CDS-T1-E3-JSM 商品编号 C18193508 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.057克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)4.3A ...
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SI2307CDS-..视频来自:百度贴吧
商品型号:SI2307CDS-T1-E3 产品状态:在售 封装规格:SOT-23 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103210875 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT-23 包装 盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 25℃时电流-连续漏极(Id) 3.5A(Tc) 驱动电...
SI2307CDS-T1-E3-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用SOT23封装,适用于移动计算设备,如笔记本适配器开关、直流/直流转换器等应用场景。这款MOSFET的主要特点在于其TrenchFET技术,这是一种深度沟槽技术,可以显著减小器件尺寸,提高开关性能,降低导通电阻,从而提高效率。 在电气特性方面,SI2307CDS-T1...