Si-C键光学带隙 a-Si(subscript 1-x)C(subscript x):H thin filmSi-C bondOptical band gapa-Si(下标 1-x)C(下标 x):H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变.深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要.本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不...
AKT-PECVD 系統支持非晶矽(a-Si) 和金屬氧化物(MOx)背板技術,可使用的薄膜包括摻雜及無摻雜非晶矽 (a-Si)、氧化矽 (SiOx)、氮氧化矽 (SiON)、氮化矽 (SiN),並且可以同步進行多層沉積鍍膜。 應用材料先進的 PECVD 技術提供了一條快速且符合成本效益的途徑,可將金屬氧化物電晶體技術推向市場;這是一種用於製造...
H 2 d i l u t e d ) ( 众所周知 , 能隙宽度在 1 . 7 0 ～ 3 . 3 0 e V 范围的非晶氢化硅碳 ( a 2 S i 1 - X C X ∶ H K ) 1 是一种适用于 a 2 ) ( 成分来控制 , 它在一个较宽的可见光范围内具有电致发光特性 , 使其有可能成为一种非常适合于可见 光 L E D 的材...
SiOx层与衬底的粘附力差; a-Si:H退火时H的溢出; 退火过程中应力积聚。 2、C掺杂抑制爆膜的机制: 降低薄膜晶化率,减少应力积累; 抑制H溢出; 形成更稳定的化学键。 3、薄膜C掺杂提升器件性能的机制: 抑制爆膜改善薄膜物理接触; 更多H钝化; 功函数降低。 4、特别地,较n型薄膜而言,p型薄膜的爆膜问题更难解...
该文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学气相沉积(UHV-PECVD)复合系统沉积a-Si<1-X>C<,X>:H<,K>薄膜及其特性.系统的真空度可达标10<'-9>Torr以上.通过控制H<,2>对常规用混合气体(SiH<,4>+CH<,4>)的稀释程度以及相应的CH<,4>比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅...
该文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学气相沉积(UHV-PECVD)复合系统沉积a-Si<1-X>C<,X>:H<,K>薄膜及其特性。系统的真空度可达标10<'-9>Torr以上。通过控制H<,2>对常规用混合气体(SiH<,4>+CH<,4>)的稀释程度以及相应的CH<,4>比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化...
4. 热丝CVD法制备a-Si1-xCx薄膜的光电性能研究 5. PECVD法低温制备纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析 6. 超高真空脉冲激光沉积Au、U单层膜及Au/U/Au复合膜研究 7. SiO2衬底上PECVD-Si1-xGex薄膜研究 8. Si(100)上Ge1-xCx合金薄膜的CVD外延生长 9. 真空阴极电弧沉积TiB2薄膜的组织结构及其摩擦学性...
日本某研究所尝试在沉积后进行快速热退火处理,在1100℃氮气环境中维持30秒,成功诱导非晶薄膜向α-Si3N4相转变。X射线衍射图谱显示结晶度提升至75%,热导率突破3.5W/(m·K),但该方法导致界面出现5nm过渡层,影响器件可靠性。 实际应用中出现理论值与实测值偏差的现象值得注意。某MEMS器件制造商发现,相同工艺参数下...
Post-annealing at 250掳C for 3h mainly leads to a short and intermediate range improvement in the interior region of the films. Our present results suggest that a-Si:H thin films with better quality could be deposited at higher silane-gas temperature....
Improved diphasic nc-si/a-si:H I-layer materials using PECVD Two series of films has been prepared by using a new regime of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) in the region adjacent to the phase transi... H Hao,S Zhang,Y Xu,... - IEEE 被引量: 0发表: 0年 Improved ...