在热退火之后，通过RBS和XRD分析对薄膜进行了表征，结果显示在1000℃下获得了结晶薄膜，化合物SixCy中Si的相对百分比为25%。通过质谱分析，可以验证在纯SF6放电中SiC蚀刻期间形成的主要物种，以及SF6+ O2放电中的各种O2比率。这种分析的一个重要结果是证实了原子氟是碳化硅蚀刻过程中的主要元素，并且在放电中加入少量O2...
为了解决MEMS封装过程中易对微致动件造成损伤的问题,提出了一种低成本,与CMOS工艺兼容的晶圆级薄膜封装技术,用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的低应力SiC作为封装和密封材料.此材料的杨氏模量为460 GPa,残余应力为65 MPa,可使MEMS器件悬浮时封装部位不变形.与GaAs,Si半导体材料相比,SiC具有较佳的物理稳定性,...
碳化硅喷淋头SiC Shower Head 硅喷淋头Silicon Shower Head PECVD的喷淋头应用于半导体集成电路制程刻蚀设备中,在晶圆制造刻蚀环节,作为附加电压的电极,还作为是刻蚀气体进入腔体的通路,是晶圆制造刻蚀环节所必需的核心部件。 839-011907-001 上硅电极Silicon Upper Electrode ...
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:PECVD沉积退火后 SiC 薄膜的蚀刻研究 编号:JFKJ-21-737 作者:炬丰科技 摘要 本文采用等离子体化学气相沉积技术在室温下制备了非晶碳化硅薄膜。后退火用于使碳化硅薄膜结晶…
20、膜的 CVD 温度;在 Si 衬底上制备了 -SiC 薄膜,进而制备了高压 SiC/Ni 肖特基二极管例一: ICP-CVD方法制备Ni/SiC肖特基二极管由六甲基二硅烷 (HMDS) 热壁法沉积 SiC 薄膜时LPCVD法SiC薄膜沉积速率的温度依赖性A. Hoerner et al. / Sutcr und Coatings Technology 100-101 (199X) 149-152当当T 700 ...
论文 > 毕业论文 > PECVD SiC薄膜材料_制备及在MEMS中的探究研析 打印 转格式 56阅读文档大小:4.69M98页chxbill03上传于2015-03-01格式:PDF
太阳能电池需要用到的镀膜技术:PECVD系统和溅射镀膜。 PECVD:用于石墨烯制备、硫化物制备、纳米材料制备等多种试验场所。可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜,并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具...
大族激光：PECVD、扩散炉、退火炉等设备已中标行业头部客户批量订单 大族激光12月7日在互动平台表示，应用于第三代半导体的SiC晶锭激光切片机任在客户处做量产验证，公司自主研发的MicroLED巨量转移设备现已实现销售。PECVD、扩散炉、退火炉等设备已经中标行业头部客户批量订单，具体业绩情况请持续关注后续的定期报告。
4.石英管辅助吊装工具,大大降低安装和维修更换石英管的难度; 5.膜的致密性高于间接等离子体; 6.比ALD有更好的钝化效果。 了解更多 产品应用 项目 技术指标 成膜种类 AlO,SiO,SiON,SiN,SiC 装片量 768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm) ...
产品参数 项目技术指标 成膜种类AlO,SiO,SiON,SiN,SiC 装片量768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm) 氧化铝膜厚均匀性片内≤6%片间≤6%批间≤5%(182片) 氧化铝折射率1.65(±0.05) UP-TIME≥98% 工作温度范围100~600℃ 温度控制9点控温,内外双模控制 ...