本文研究了氧浓度对等离子体化学气相沉积后退火碳化硅薄膜反应离子刻蚀的影响。在热退火之后，通过RBS和XRD分析对薄膜进行了表征，结果显示在1000℃下获得了结晶薄膜，化合物SixCy中Si的相对百分比为25%。通过质谱分析，可以验证在纯SF6放电中SiC蚀刻期间形成的主要物种，以及SF6+ O2放电中的各种O2比率。这种分析的一个...
PECVD沉积的SiC膜，用什么酸或者碱溶液去除，谢谢各位大神
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:PECVD沉积退火后 SiC 薄膜的蚀刻研究 编号:JFKJ-21-737 作者:炬丰科技 摘要 本文采用等离子体化学气相沉积技术在室温下制备了非晶碳化硅薄膜。后退火用于使碳化硅薄膜结晶…