硅烷（SiH₄）：作为一种常见的硅源气体，硅烷具有高反应活性，能够在低温条件下分解生成硅原子。在PECVD工艺中，硅烷与氧化剂反应生成二氧化硅，反应方程式如下：SiH4+2O2→SiO2+2H2O 或者 SiH4+2N2O→SiO2+2N2+2H2O 氧化剂的选择：氧化剂的选择会直接影响反应过程的效率和最终薄膜的质量。O₂和N₂O是常用...
SiH4 +氧源 ⟶SiO2 :(OH)+nH2O 氧平衡：生成高纯度的 SiO₂ ，沉积薄膜质量最佳。方程式：SiH4+氧源⟶SiO2+2H2 氧不足：生成 SiO₂ 含氢化合物，薄膜中存在更多氢含量，导致折射率和应力改变。方程式：SiH4+氧源⟶SiO2:H+nH2
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本文将以PECVD淀积SiO2薄膜工艺为研究对象,探讨其工艺原理、参数对薄膜性能的影响以及优化方法等方面内容。 一、工艺原理 PECVD是一种在低压和高频电源激励下进行的化学气相沉积技术。其原理是通过电离的等离子体将前驱体气体分解成活性物种,然后在衬底表面发生化学反应,最终形成所需的薄膜。 二、工艺参数 1. 前驱体...