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硅烷（SiH₄）：作为一种常见的硅源气体，硅烷具有高反应活性，能够在低温条件下分解生成硅原子。在PECVD工艺中，硅烷与氧化剂反应生成二氧化硅，反应方程式如下：SiH4+2O2→SiO2+2H2O 或者 SiH4+2N2O→SiO2+2N2+2H2O 氧化剂的选择：氧化剂的选择会直接影响反应过程的效率和最终薄膜的质量。O₂和N₂O是常用...
要制备SiO2，需要有硅源与氧源。硅源我们这里以硅烷为例，氧气源可以是 O₂、N₂O、NO 或 CO₂ 反应方程式为：SiH₄ + 4 N₂O → SiO₂ + 2 H₂ + 4 N₂ SiH₄ + O₂ → SiO₂ + 2 H₂ 注：用氧气作为氧源，反应速度非常快，可以在室温下发生，会导致颗粒生成，需要避免...
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SiH4+2N2O→SiO2+2N2+2H2O 氧化剂的选择:氧化剂的选择会直接影响反应过程的效率和最终薄膜的质量。O₂和N₂O是常用的氧化剂,其中N₂O由于其较低的反应活化能,常用于需要低温沉积的场合。 等离子体在反应中的作用与控制: 在PECVD工艺中,等离子体通过高频电场的激发在反应腔内形成。等离子体中的高能电子、离...
在PECVD淀积SiO2薄膜的工艺中,常用的前驱体有硅源(如SiH4)和氧源(如O2或N2O),同时还可添加掺杂源来控制薄膜的性质。 讨论SiO2薄膜的制备参数对薄膜性质的影响。在PECVD淀积SiO2薄膜的过程中,各种制备参数包括沉积温度、前驱体浓度、气体流量、沉积时间等都会对薄膜的性质产生影响。例如,提高沉积温度可以增加薄膜的致密...