SiO2薄膜射频偏压ECR-PECVD二氧化硅薄膜离子轰击能量成膜特性采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术在单晶衬底上制备了SiO2薄膜,研究了射频偏压对薄膜特性的影响.通过X射线光电子能谱(XPS),傅里叶变换红外线光谱(FTIR),原子力显微镜(AFM)和扫描隧道显微镜(STM)三维形貌图测量等手段,对成膜特性...
在铝上淀积SiO2和在GaAs上淀积Si3N4保护层是两个常见的实例。与热反应相比(一般8001000 ),它有以下优点:能淀积速率高淀积速率高;容易获得比较均匀的组分比较均匀的组分;通过改变气流比可以使薄膜组分连续变化薄膜组分连续变化(如可以容易控制Solar Cell A 8、RC的Si:N,可以使薄膜组分由氧化物连续变化到氮化物)。
1.1，等离子体概述 ➢等离子态是物质的第四种状态，它是气体，其原子失去电子形成自由电子和正离子，两者的量相等因此又叫做等离子态，它可导电而且受电磁场影响，是非束缚态宏观体系。➢宇宙中约99%的物质都是处在等离子体状态，闪电、北极光、宇宙射线等等。太阳本身也就是个等离子体的大火球。➢产生等离子体...
PECVD1,等离子体概念、应用与辉光放电2,PECVD的原理,类型3,PECVD在SolarCell的应用4,PECVD的参数控制5,等离子体在Solarcell的其它应用主要内容:1.1 等离子态是物质的第四种状态,它是气体,其原子失去电子形成自由电子和正离子,两者的量相等因此又叫做等离子态,它可导电而且受电磁场影响,是非束缚态宏观体系。 宇宙中...
(FTIR).Finally,the film was tested by GJB 2485-95 standard.The results show:While the RF power is 300 W,Ar gasflow rate is 50 sccm,pressure is 30 Pa and bombardment time is less than 30 min,there is no damage to the substrate material.The refractive index of deposition of SiNx,...
为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型(100)硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD) 技术交替沉积SiO2 /Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验...
多晶硅的应变因子较大,因而传感器灵敏度高,以 SiO2 介质隔离代替 pn 结隔离的多晶硅薄膜传感器,漏电流小,从而提高了传感器的工作温度 [28]。 多晶硅薄膜因具工艺成熟、制作工艺简单、灵敏度高和易于批量生产等特点, 使多晶硅薄膜作为压阻材料在压力传感器领域得到广泛应用[28-31]。 近年来,揣荣岩[32-33]等人给出...
在传统的多晶硅太阳电池中,一直采用SiO2或者TiO2作为多晶硅太阳电池的减反射膜,但是SiO2的折射率较低,而TiO2又不能对多晶硅起到钝化作用。如果能找到一种新的减反射膜,同时起到减反射作用和钝化作用,无疑能在节约成本的基础上简化工序并进一步提高太阳电池的效率。氮化硅薄膜首先是应用在半导体器件和集成电路的制造工艺...
1. Introduction Multilayer coatings comprised of alternating high and low index materials are widely used to fabricate custom optical components, with TiO2 and SiO2 serving as commonly used materials.[1–8] These optical components are usually fabricated by physical vapor deposition techniques such as ...
本论文通过对不同工作气压及氢稀释比样品的FTIR和 RD的测试及分析 得出以上两个实验参数通过调控等离子体状态的两个重要指标 反应气成份及离子能量可使SiC薄膜从非晶转化为纳米晶 2实验本文使用PECVD方法在电阻率为4~7o cm的n型Si 100 衬底上沉积SiC薄膜 实验装置为一内径为50mm的水平石英管 外置加热炉及13.56...