采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))上成功制备了用于非致冷红外焦平面阵列微桥结构支撑层的氮化硅薄膜.采用X射线衍射(XRD),傅里叶变换红外光谱(FTIR)及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的微观结构和表面形貌;分别采用台阶仪,薄膜应力分布测试仪和快速退火炉等手段测试了薄膜的厚度均匀...
在PECVD工艺中,硅烷与氧化剂反应生成二氧化硅,反应方程式如下: SiH4+2O2→SiO2+2H2O 或者 SiH4+2N2O→SiO2+2N2+2H2O 氧化剂的选择:氧化剂的选择会直接影响反应过程的效率和最终薄膜的质量。O₂和N₂O是常用的氧化剂,其中N₂O由于其较低的反应活化能,常用于需要低温沉积的场合。 等离子体在反应中的作用与...
摘要: 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在二氧化硅衬底(SiO2/Si(100))上成功制备了用于非致冷红外焦平面阵列微桥结构支撑层的氮化硅薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的微观结构和表面形貌;分别采用台阶仪、薄膜应力分布测试仪和快速退火炉等手段测试了薄膜的...
PECVD工艺参数对SiO2薄膜光学性能的影响 热度: 本底真空对磁控溅射镍铬合金薄膜电阻的影响 热度: PECVD工艺参数对薄膜制备的影响 本底真空/衬底温度 (其它影响因素:射频功率、气体稀释比(H2:SiH4)、气体压强等) 目录 1本底真空对薄膜制备的影响 2衬底温度对薄膜制备的影响 ...
多晶硅的应变因子较大,因而传感器灵敏度高,以 SiO2 介质隔离代替 pn 结隔离的多晶硅薄膜传感器,漏电流小,从而提高了传感器的工作温度 [28]。 多晶硅薄膜因具工艺成熟、制作工艺简单、灵敏度高和易于批量生产等特点, 使多晶硅薄膜作为压阻材料在压力传感器领域得到广泛应用[28-31]。 近年来,揣荣岩[32-33]等人给出...
采用电感耦合射频等离子体增强化学气相沉积工艺在低温条件下(<100℃)从氧气、钛酸四异丙酯与六甲基二硅氧烷的混合气氛中制备一系列具有不同结构与化学成分的TiO_2/SiO2复合薄膜,并研究了复合薄膜的微观结构、形貌和光学性能。结果显示:在等离子体气氛中加入少量的六甲基二硅氧烷就使薄膜中的[Si]/[Ti+Si]原子比从0 ...
1. Introduction Multilayer coatings comprised of alternating high and low index materials are widely used to fabricate custom optical components, with TiO2 and SiO2 serving as commonly used materials.[1–8] These optical components are usually fabricated by physical vapor deposition techniques such as ...
射频起辉后，再加偏压会连通，生长室会放电，偏压电源上电流表摆动，甚至会烧表！！怎么办呢？到底怎么...
射频起辉后，再加偏压会连通，生长室会放电，偏压电源上电流表摆动，甚至会烧表！！怎么办呢？到底怎么...
La-doped lead zirconate titanate (PLZT) thin films were fabricated on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vap... JS Shin,SS Chun,WJ Lee - 《Japanese Journal of Applied Physics》 被引量: 7发表: 1997年 Electrical properties of the perovskite (Pb,...