高掺杂的多晶硅(Poly-Si)层与N型硅基体之间功函数差异引起的界面处能带弯曲,使电子隧穿后有足够的能级可以占据,更易于隧穿;而空穴占据的价带边缘处于 Poly-Si 的禁带,不易隧穿,因此超薄氧化层可允许多子电子隧穿而阻挡少子空穴透过,从而使电子和空穴分离,减少了复合,在其上沉积一层金属作为电极...
管式PECVD Poly-Si镀膜设备 特色: 本征或原位磷掺杂工艺 适应166-230大尺寸硅片 良好的PECVD Poly-Si钝化性能 氧化层质量高,效果稳定,重复性好,设备投资成本低 PECVD设备产能大,维护成本低,使用成本低
Poly-Si可以通过LPCVD或PECVD与这两种方式沉积,决定接触钝化质量和电池效率的因素还包括界面隧穿氧化层和表面形态(绒面或平面)。我们从这张图表中得出如下结论: 不同钝化方式的钝化质量对比: 1. PECVD沉积多晶硅未在制绒表面进行测试,可能是由于镀膜均匀性差,对双面绒面的双面电池钝化效果差。 2. PECVD沉积多晶硅搭配...
因此，a-Si:H具有较差的运输特性，低电子迁移率，悬空键密度大，并且在光照射下会降解（Staebler-Wronski效应）。多晶硅（poly-si）拥有良好的运输特性，但由于需要使用较高的沉积温度（600℃），这限制了其在玻璃和柔性基底上集成。微晶硅μc-Si：H薄膜 微晶硅μc-Si:H是一种硅基薄膜，是由PECVD在低温（≤200...
超薄隧穿层SiO2（<2.0 nm）及N型多晶硅薄膜（100~200nm）：两者共同形成钝化接触结构作为电池背面钝化层，高掺杂的多晶硅（Poly-Si）层与 N型硅基体之间功函数差异引起的界面处能带弯曲，使电子隧穿后有足够的能级可以占据，更易于隧穿；而空穴占据的价带边缘处于 Poly-Si 的禁带，不易隧穿，因此超薄氧化层可...
多晶硅(poly-si)拥有良好的运输特性,但由于需要使用较高的沉积温度(600℃),这限制了其在玻璃和柔性基底上集成。 微晶硅μc-Si:H薄膜 微晶硅μc-Si:H是一种硅基薄膜,是由PECVD在低温(≤200℃)下制成的,不同于非晶硅和多晶硅,微晶硅μc-Si:H生长在不同取向的晶体柱中,柱状间由非晶硅组成的边界隔开。
化学气相沉积技术路线可以制备掺杂多晶硅层,成为制备TOPCon结构最有前途的工业路线之一。美能Poly5000是专为光伏工艺监控设计的在线POLY膜厚测试仪,采用领先的微纳米薄膜光学测量技术,100%Poly-si沉积工艺监控,可对样品进行快速、自动的5点同步扫描。使用Poly5000能够优化多晶硅层膜厚特性,保证电池良率。
多晶硅(poly-si)拥有良好的运输特性,但由于需要使用较高的沉积温度(600℃),这限制了其在玻璃和柔性基底上集成。 微晶硅μc-Si:H薄膜 微晶硅μc-Si:H是一种硅基薄膜,是由PECVD在低温(≤200℃)下制成的,不同于非晶硅和多晶硅,微晶硅μc-Si:H生长在不同取向的晶体柱中,柱状间由非晶硅组成的边界隔开。 ...
化学气相沉积技术路线可以制备掺杂多晶硅层,成为制备TOPCon结构最有前途的工业路线之一。美能Poly5000是专为光伏工艺监控设计的在线POLY膜厚测试仪,采用领先的微纳米薄膜光学测量技术,100%Poly-si沉积工艺监控,可对样品进行快速、自动的5点同步扫描。使用Poly5000能够优化多晶硅层膜厚特性,保证电池良率。
当LPCVD a/poly-Si (i)大于150 nm时,可以适应掺杂a/poly-Si层的工艺路线将近18%的提高。这里,LPCVD原位TOPCon得益于POCl3扩散步骤的缺失。 此外,在给定的假设下,退火和氧化过程结合在一个单一的处理与LPCVD TOPCon exsitu相比,LPCVD TOPCon insitu也具有较少的工艺步骤。