该P型背接触太阳能电池的制备工艺，具体步骤：制绒→氧化→去二氧化硅→碱抛→PECVD poly→退火→第一次激光处理→RCA清洗→双面氧化铝/氮化硅→第二次激光处理→印刷烧结该P型背接触太阳能电池的制备工艺，给现有PECVD poly路线的TOPCon电池一个可行的工艺路线，充分利用现有产线进行差异化升级，避免PECV
4. 超薄隧穿层 SiO2(<2.0 nm)及 N 型多晶硅薄膜(100~200nm):两者共同形成钝化接触结构作为电池背面钝化层,高掺杂的多晶硅(Poly-Si)层与N型硅基体之间功函数差异引起的界面处能带弯曲,使电子隧穿后有足够的能级可以占据,更易于隧穿;而空穴占据的价带边缘处于 Poly-Si 的禁带,不易隧穿,因此超薄氧化层可允许多...
高掺杂的多晶硅(Poly-Si)层与N型硅基体之间功函数差异引起的界面处能带弯曲,使电子隧穿后有足够的能级可以占据,更易于隧穿;而空穴占据的价带边缘处于 Poly-Si 的禁带,不易隧穿,因此超薄氧化层可允许多子电子隧穿而阻挡少子空穴透过,从而使电子和空穴分离,减少了复合,在其上沉积一层金属作为电极...
因此,我们认为工艺稳定后,PECVD成为TOPCon主流工艺,推动TOPCon大规模量产。建议关注:光伏整线设备龙头捷佳伟创(公司推出PE-Poly,即采用PECVD路线)、光伏激光设备龙头帝尔激光。 01 一、行业转型,PERC电池到TOPCon电池,道易且近 TOPCon电池技术 ,是2014年由德国Fraunhofer太阳能研究所提出的一种新型钝化接触太阳能电池。德...
PE-Poly,即采用 PECVD 技术,实现了隧穿层、Poly 层、原位掺杂层的“三合一”制备,不仅解决了传统TOPCon 电池生产过程中绕镀、能耗高、石英件高损耗的固有难点,而且大大缩短了原位掺杂工艺时间,提高了生产效率,有效提升 TOPCon 的转换效率和良率,进一步加快TOPCon电池的大规模产业化。同时,公司是行业内为数不多能...
PE-Poly,即采用 PECVD 技术,实现了隧穿层、Poly 层、原位掺杂层的“三合一”制备,不仅解决了传统TOPCon 电池生产过程中绕镀、能耗高、石英件高损耗的固有难点,而且大大缩短了原位掺杂工艺时间,提高了生产效率,有效提升 TOPCon 的转换效率和良率,进一步加快TOPCon电池的大规模产业化。同时,公司是行业内为数不多能...
LPCVD在TopCon电池的Poly层制造中得到了广泛应用。PECVD技术则采用射频感应产生的等离子体，实现了薄膜沉积的低温化，其沉积温度低于450度。这一特点不仅节省了能源，还降低了成本，提高了产能。更重要的是，它有效减少了高温对硅片中少子寿命的负面影响。因此，PECVD技术在PERC、TOPCON、HJT等多种电池片的制造工艺中均...
回望2021年，通威成功开发出行业首条大尺寸PECVD Poly沉积技术路线，这一创新填补了行业管式PE-Tox&Poly技术空白。通威参与主导的管式PECVD技术也两次荣登PIP（Progress in Photovoltaics）杂志封面文章，在国际上受到了广泛的认可与转载。与此同时，公司率先于2022年在行业内实现了该路线的规模量产。至于TOPCon细分技术路线...
多晶硅(poly-si)拥有良好的运输特性,但由于需要使用较高的沉积温度(600℃),这限制了其在玻璃和柔性基底上集成。 微晶硅μc-Si:H薄膜 微晶硅μc-Si:H是一种硅基薄膜,是由PECVD在低温(≤200℃)下制成的,不同于非晶硅和多晶硅,微晶硅μc-Si:H生长在不同取向的晶体柱中,柱状间由非晶硅组成的边界隔开。
得益于大产能LPCVD设备的研发,镀膜设备的成本进一步下降,采用双面镀膜方案可以简单有效的去除电池正面poly硅绕镀问题。与这个缺点对比,优势也是很明显的,例如高产量、更高的生长速率、更好的钝化质量和原位隧穿SiO2生长。 来源:光伏新说 公众号《全球光伏》,近3000篇原创! 为方便读者能更好地了解本号,了解过去10年来...