与PECVD不同,LPCVD沉积的主要缺点是石英件的消耗以及多晶硅的绕镀问题,硅片背靠背的装载在专门设计的石英舟上仍然会有边缘5mm左右的绕镀。得益于大产能LPCVD设备的研发,镀膜设备的成本进一步下降,采用双面镀膜方案可以简单有效的去除电池正面poly硅绕镀问题。与这个缺点对比,优势也是很明显的,例如高产量、更高的生长速率、...
与PECVD不同,LPCVD沉积的主要缺点是石英件的消耗以及多晶硅的绕镀问题,硅片背靠背的装载在专门设计的石英舟上仍然会有边缘5mm左右的绕镀。得益于大产能LPCVD设备的研发,镀膜设备的成本进一步下降,采用双面镀膜方案可以简单有效的去除电池正面poly硅绕镀问题。与这个缺点对比,优势也是很明显的,例如高产量、更高的生长速率、...
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