捷佳伟创-300724-TOPCon高景气,PE~Poly再次中标头部客户订单 事件:PE-Poly再次中标全球太阳能头部订单。近日,继公司的常州HIT中试线研究院的全新PECVD与TCO设备安装到位,稳健升级管P板P双路线后,公司自主研发的PE-Poly“三合一”设备,再次成功中标全球太阳能头部企业TOPCon电池装备项目。 TOPCon与PERC产线兼容性高、成...
通威股份（600438.SH）7月25日在投资者互动平台表示，公司自主研发成功了行业首条大尺寸TOPCon PECVD Poly 技术产线，并于2022年全面推出 TNC 电池产品，首个9GW TNC 电池产线目前量产平均转换效率已达25.7%，良率98.2%，计划于今年三季度完成产线SE升级，产线效率将在现有基础上提升0.2%以上。公司基于HJT技术...
管式PECVD Poly-Si镀膜设备 特色: 本征或原位磷掺杂工艺 适应166-230大尺寸硅片 良好的PECVD Poly-Si钝化性能 氧化层质量高,效果稳定,重复性好,设备投资成本低 PECVD设备产能大,维护成本低,使用成本低
PE-Poly,即采用PECVD技术,实现了隧穿层、Poly层、原位掺杂层的“三合一”制备,不仅解决了传统TOPCon电池生产过程中绕镀、能耗高、石英件高损耗的固有难点,而且大大缩短了原位掺杂工艺时间,提高了生产效率,有效提升TOPCon的转换效率和良率,进一步加快TOPCon电池的大规模产业化。同时,公司是行业内为数不多能提供TOPCon S...
PECVDStrain gradientPoly-SiGe offers an attractive alternative for low temperature MEMS post-processing above CMOS. This paper presents several investigations made to obtain a crystalline material with excellent mechanical (low stress, low stress gradient) and electrical (low resistivity) properties. Two ...
低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长及特性研究 姓名,*** 申请学位级别,硕士 专业,凝聚态物理 指导教师,**文 20070620大连理,,大学硕十学位论文 摘要 多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本,在能源信息工业中,同益成为一种重要的电子材料,并被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。为降低多晶硅薄膜的生...
低温下PolySi薄膜的ECRPECVD生长及特性研究
Uniform, High Performance Poly-Si TFTs Fabricated by Laser- Crystallization of PECVD-Grown a-SI:H Polycrystalline silicon thin film transistors (TFTs) were fabricated using laser crystallization of thin amorphous Si films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition. The films were exposed to ...
AIC poly-Si films made from sputtered a-Si deposited with high deposition rate (>5A/s) and with low argon sputtering pressure (<2.2 Pa) have good properties in terms of crystalline quality and low amount of voids and Al residues. AIC poly-Si films made from an argon-diluted PECVD silane...
PE-Poly再次中标全球太阳能头部订单。近日,继公司的常州HIT中试线研究院的全新PECVD与TCO设备安装到位,稳健升级管P板P双路线后,公司自主研发的PE-Poly“三合一”设备,再次成功中标全球太阳能头部企业TOPCon电池装备项目。 【逻辑阐述】 TOPCon与PERC产线兼容性高、成本更低,今年为扩产大年。TOPCon技术路线为PERC技术的...