公司进一步扩大以 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 为主的薄膜工艺覆盖面,推出的超高深宽比沟槽填充 CVD、PE-ALD SiN 工艺设备、HDPCVD FSG、HDPCVD STI 工艺设备等新产品及新工艺均通过客户验证,实现了产业化应用。截至2024H1,公司推出的 PECVD、ALD、SACVD、 HDPCVD 及超高深宽比沟槽填充 CVD 薄膜设备可以支撑逻辑芯片...
应用范围广:PECVD技术可以制备多种类型的薄膜材料,如氧化物、氮化物、碳化物等,适用于半导体制造、太阳能电池、涂层技术、显示面板等多个领域。 面板中PECVD工艺膜层:SiO、SiN、a-Si、SiON 成膜气体及简要反应式: SiO:SiH4+N2O→SiO+。。。 A-Si:SiH4+Ar→a-Si+。。。 SiN:SiH4+NH3+N2→SiN+。。。 CVD腔...
SiN薄膜是一种常用的绝缘材料,具有优异的绝缘性能和耐高压特性。在高压电子器件中,SiN薄膜被广泛应用于隔离、保护和封装等方面。然而,SiN薄膜的耐压性能并非固定不变的,它受到多种因素的影响,如薄膜的质量、结构、掺杂浓度等。 二、影响耐压性能的因素 1. 薄膜质量:薄膜质量是影响耐压性...
研究SiNx薄膜要从三方面入手: 首先,要对膜的光学性质进行研究。地面太阳光谱能量的峰值在波长500nm,而硅太阳电池的相对响应峰值在波长800～900nm,故要求减反射膜对500～900nm的光有最佳减反射效果。对于82nm厚、折射率为2.113的电池片,用肉眼观察呈深蓝色,当λ=632.18nm时,其光学厚度为n×d=82×2.113=174.166nm...
PECVD SiN及其在GaAs MESFET中的应用 第Ⅰ部分:PECVD SiN的制备及其组分和等离子淀积氮化硅场效应晶体管罗海云vip半导体情报
氮化硅(SiN):氮化硅是一种常用的PECVD沉积材料,以其优异的介电性能、高热稳定性和低导电性而著称。它可应用于半导体设备、生物医学设备和光学涂层。 二氧化硅(SiO2):二氧化硅是PECVD中另一种经常沉积的材料。它是一种透明的电介质材料,具有良好的电绝缘性能。二氧化硅广泛用于半导体制造、光学涂层和用于防腐和疏水的保...
Key words:PECVD, SiN film, solar cell, photovoltaic effect, passivation 第一章绪论 从2003年开始,全球化石能源的缺乏引发了能源价格不断攀升,可再生能源也因此得到了更多的重视,太阳能光伏行业迎来了发展的春天。 1.1太阳能光伏产业发展现状和未来 人类历史上从未有如2009年底哥本哈根会议那样的事件,会使“节能减排...
LPCVD VS PECVD SIN LPCVD 与 PECVD 氮化硅对比 LPCVD 氮化硅波导: 1、与硅光工艺平台不兼容,沉积需要高温~700℃,会产生标准化学计量比的Si3N4,折射率也相对固定(约2.01),对应的光学器件模块性能相对稳定。 2、含H键极少,由于是前道工艺FEOL(Front-end of line),所以还可以进一步高温退火(1100℃),进一步降低...
Key words:PECVD, SiN film, solar cell, photovoltaic effect, passivation 第一章绪论 从2003年开始,全球化石能源的缺乏引发了能源价格不断攀升,可再生能源也因此得到了更多的重视,太阳能光伏行业迎来了发展的春天。 1.1太阳能光伏产业发展现状和未来 人类历史上从未有如2009年底哥本哈根会议那样的事件,会使“节能减排...
PECVDSiN//SiO2双层膜的应力特性 1989年第l期搬电子学与计算机 PECVDSiN/Si02双层膜的应力特性. 杨绪华孙青 (西安电子科技大学.微电子所) 摘耍 采用鍪娄束偏转浊研咒量坠点i 婶皂兰壁?结果表明,siN膜的应力较大-.[￡ SiN/Si间插^一层SiO:礁.能有荒地减小siN麟 ...