PECVD SiNx:H 薄膜常用作晶硅太阳能电池的减反射和钝化层，其钝化效果与氢含量有关，但该薄膜在光照和热辐射下会发生氢致退化（HID）。光照后，p型和n型样品的有效少数载流子寿命值和带间PL强度显著降低。光诱导退化与氢和氧相关缺陷有关，FTIR和PL光谱技术能够识别出导致光诱导体积和表面退化的化学物种。样品的...
PECVD SiNx:H 薄膜常用作晶硅太阳能电池的减反射和钝化层,其钝化效果与氢含量有关,但该薄膜在光照和热辐射下会发生氢致退化(HID)。光照后,p型和n型样品的有效少数载流子寿命值和带间PL强度显著降低。光诱导退化与氢和氧相关缺陷有关,FTIR和PL光谱技术能够识别出导致光诱导体积和表面退化的化学物种。 样品制备:...
光谱中不同波长范围的 PL 发射与样品中的缺陷和杂质相关,如 1400nm 至 1570nm 范围的 PL 发射与硅氧物种有关,光照后该范围内 PL 强度略有降低,与 FTIR 分析中硅氧物种浓度降低结果相符,表明光照后硅氧缺陷转变为其他形式缺陷导致体寿命降低。 FTIR 和 PL 光谱技术表明,户外光照下 PECVD SiNx:H 钝化样品的光致...
德国 Fraunhofer 研究中心在电池背面利用化学方法制备一层超薄氧化硅( ～1.5nm) ,然后再沉积一层掺杂多晶硅,二者共同形成了钝化接触结构,这种技术被称为隧穿氧化层钝化接触( TOPCon)技术。 从电池结构正面看,PERC 电池从外及里,依次为 SiNx 膜、N 型发射极(n+)、P型硅片基底;对比,TOPCon 电池由外到里,依次为 ...
PERC 太阳电池通常采用AlOx 膜与氮化硅(SiNx) 膜作为钝化膜。普遍采用原子层沉积(ALD)设备沉积AlOx 膜，这在实验领域已得到了广泛的研究[4-6]，但ALD 设备无法完成SiNx 膜的制备，因此需要等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备来完成，以便最终形成AlOx/SiNx 叠层钝化结构[4]。由于PERC 太阳电池的钝化层无法仅由...
太阳能电池制造：在晶体硅太阳能电池上沉积SiNx减反射薄膜，提升光电转换效率并保护电池片。PECVD在太阳能电池领域的经典应用：减反射：通过调整SiNx薄膜的厚度与折射率，利用光的干涉原理实现减反射效果。钝化作用：SiNx薄膜中的氢元素有效钝化硅表面的位错及悬挂键，提升载流子迁移率并保护硅片免受污染。
薄膜的特性调整PECVD过程中的各种参数（如射频功率、气体流速和压力、基板温度等），也可以通过调整反应气体的组成和比例来控制。例如，使用PECVD沉积的SiNx薄膜，通过改变气体中硅和氮的比例，可以得到折射率在1.6-2.0范围内变化的膜。PECVD工艺过程 对于典型的半导体应用，基板被放置在两个平行电极之间的沉积室中——...
SiNx:H的折射率n直接决定其对太阳光的吸收程度,所以工艺过程中SiH4。流量的控制很重要。 2、工艺气体流量和射频功率对主要电性能参数的影响 本试验选择在Centrotherm PECVD设备上进行,研究射频功率、工艺气体流量对多晶硅电池开路电压Uoc,短路电流Isc以及光电转换效率Ncell的影响。 (1)工艺气体流量比对主要电性能参数的...
1. 调整沉积条件：可以适当降低PECVD沉积SiNx的沉积速率和气体压强，减少Mo/Cu金属薄膜表面的电荷密度。2. 改善金属薄膜表面形态：可以通过改变Mo/Cu金属薄膜的表面形态，如增加表面粗糙度等方法来改善金属薄膜表面的电场分布，减少放电现象的发生。3. 使用防火电极：在Mo/Cu金属薄膜表面设置防火电极，可以...
在实验研究和工业生产中,沉积AlOx/SiNx钝化膜时首先采用的是频率为2.45 GHz 的微波PECVD 设备[7-10],但该设备的成本是频率为30～300 kHz 的低频PECVD 设备的2～3 倍,因此,低频PECVD 设备逐渐被接受并广泛应用[11-12]。然而,由于针对低频PECVD 设备沉积AlOx/SiNx钝化膜的研究相对较少,因此对其沉积特性及所沉积...