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01PECVD设备概述 定义与特点 定义 PECVD，即等离子体增强化学气相沉积设备，是一种利用等离子体技术来促进化学反应的设备。特点 具有高沉积速率、高均匀性和高附着力等特点，能够制备出高质量、高性能的薄膜材料。工作原理 工作原理 通过在反应室内施加射频或微波等离子体，使气体分子电离并产生化学活性物质，这些化学活性...
公众号:芯ONE,发送关键词:芯ONE-PECVD 2PECVD设备的基本结构 2.1PECVD工艺的基本原理 PECVD技术是在低气压下,利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的工艺气体,这些气体经一系列化学反应和等离子体反应,最终在样品表面形...
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PECVD设备在许多领域有广泛的应用。在半导体行业中,PECVD用于沉积和改善硅氧化物(SiO2)和氮化硅(SiNx)等薄膜的性能。在显示技术中,PECVD用于制备液晶显示器和有机发光二极管(OLED)等器件的透明导电氧化物薄膜。在太阳能行业中,PECVD用于制备薄膜太阳电池的多层结构,如非晶硅和微晶硅薄膜。此外,PECVD设备还广泛应用于光学...
PECVD代表等离子体增强化学气相沉积,是一种重要的薄膜沉积技术,广泛应用于半导体、光伏、显示器件等领域。 PECVD PECVD设备利用等离子体产生的活性物种,通过气相反应在基片表面沉积薄膜。基本原理包括: •等离子体生成:在反应室中建立高频射频电场,使气体放电产生等离子体。 •沉积过程:活性物种在等离子体作用下与基片...
PECVD设备结构:Loadlock Chamber、Heat Chamber、Transfer Chamber、Process Chamber PECVD成膜过程粗略示意:反应气体电离并吸附在基板表面→参与化学反应→形成核→核形成岛→岛进行横向/纵向生长并连接→形成薄膜 PECVD特点:将气体分子激活成活性离子,相对降低反应所需的温度;加速反应物在表面的扩散作用(表面迁移),提高成...