a-Si(下标 1-x)C(下标 x):H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变.深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要.本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出a-Si(下标 1-x)C(下标 x):H薄膜,并采用红外光谱,喇曼光谱及...
对于薄膜太阳能电池应用，μc-Si:H已经得到了广泛的研究。目前，已经开发出a-Si:H/μc-Si:H串联太阳能电池（微晶太阳能电池），其稳定效率高达12%。美能晶化率测试仪拥有强大的适应光伏行业晶化率测试功能，支持过程片原位测试，以适配光伏行业的研发和生产，帮助厂商在制造高效率的太阳能电池过程中更加轻松的面对...
因此,a-Si:H具有较差的运输特性,低电子迁移率,悬空键密度大,并且在光照射下会降解(Staebler-Wronski效应)。 多晶硅(poly-si)拥有良好的运输特性,但由于需要使用较高的沉积温度(600℃),这限制了其在玻璃和柔性基底上集成。 微晶硅μc-Si:H薄膜 微晶硅μc-Si:H是一种硅基薄膜,是由PECVD在低温(≤200℃)下制...
a-Si1-XCX∶HK薄膜及其特性 容幸福,秦志钰 (太原理工大学机械工程学院,山西太原030024) 摘要:本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学气相沉积(VHV2PECVD)复合腔系统沉积 a2Si1-XCX∶HK薄膜及其特性。系统的真空度可达10 27 Pa(10 29 Torr)以上。通过控制H2对常规用混合气体 (SiH4+CH4)的稀释程度以及相应的...
A. 二氧化硅薄膜的特性 二氧化硅薄膜的特性直接决定了其在各种应用中的性能表现，因此，理解其化学结构、物理性质和电学性能对于优化PECVD工艺至关重要。化学结构：二氧化硅薄膜的基础化学结构是由硅（Si）和氧（O）原子通过共价键形成的四面体结构。每个硅原子与四个氧原子相连，而每个氧原子又与两个硅原子相连，形成...
LPCVD for a-Si deposition LPCVD是在低压条件下沉积a-Si/多晶硅层的重要工艺之一。 该技术的主要优点是: a)沿晶圆和晶圆的厚度分布良好 b)由于使用了接近600◦c的相对较低的沉积温度,所以保持了之前在晶圆中形成的杂质轮廓, c)每批大量的晶圆,
以LPCVD法制备氧化层 SiO2,以及本征非晶硅层 a-Si 工艺为例,实践中仅需要在两者反应中间,加入N2清洗、捡漏、抽真空等操作,即可在同一工步完成 SiO2/本征非晶硅膜的制备。 LPCVD 沉积膜不具备方向性,因电池片立于石英舟之上,氧化层及本征多晶硅层也同样会附着在电池片的侧面及正面,形成包裹,即“绕镀”现象。多余...
H.Nakaya，M.Nishida，YTakeda，etal.PolycrystallineSiliconSolarCells[Z].1192，345-356.[3]陈萌炯.RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si：H薄膜的性能研究及其比较[D].浙江：浙江大学，2006.[4]刘国汉，丁毅，朱秀红，等.HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究[J].物理学报，2002，55(11)：6147-6150.
[3]陈萌炯.RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si：H薄膜的性能研究及其比较[D].浙江：浙江大学，2006....
1) 较低的频率增强了离子对硅片衬底的轰击作用，使Si-AlOx 未能形成良好的界面氧化层，且膜层内的Al-O 四面体结构占比较低，从而降低了膜层的场钝化效应，使载流子复合严重，无法起到良好的钝化作用。2) 硅片衬底沉积AlOx 膜后，采用N2O/NH3气体进行等离子体表面处理，向膜层内注入O，使界面处形成用于价电子传输...