功函数降低。 4、特别地,较n型薄膜而言,p型薄膜的爆膜问题更难解决,需要更好地调控。 $捷佳伟创(SZ300724)$$金辰股份(SH603396)$$北方华创(SZ002371)$
a-Si(下标 1-x)C(下标 x):H的禁带宽度能随着薄膜中碳和氢的含量的变化而发生改变.深入了解薄膜中的键合情况及其对薄膜光学带隙的影响尤为重要.本文采用PECVD法,以硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)为反应气源,通过选用不同的沉积功率及不同的组成制备出a-Si(下标 1-x)C(下标 x):H薄膜,并采用红外光谱,喇曼光谱及...
图4.1强光照下半导体表面的基本过程: (a)载流子激发,(c)双分子辐射带到带复合,(d, e)非辐射表面和体SRH复合,(f)Auger复合。 在13.56 MHz的电容耦合反应器中,PECVD仍然是沉积a-si:H和c-Si:H薄膜的领先工业技术。它的成功主要是由于有源矩阵平板工业的快速发展,图5.2是这种平行板PECVD反应器的原理图。这种反...
SiNx、a-Si:H 和 n+a-Si 等薄膜都是通过PECVD制备的。 SiNx薄膜的工艺技术 非晶SiNx薄膜的性能取决于薄膜中 Si、N 和 H 三种原子的相对浓度。用 PECVD 沉积的 SiNx薄膜中,H 含量为 10%～40%,大部分 H 原子都以 Si-H 键和/或 N-H 键的形式存在,H 能起到饱和缺陷的作用。随着衬底温度增加或 RF ...
在湿化学处理之后,应用使用等离子体增强化学汽化沉积(PECVD)的沉积工艺,在晶硅基层的两侧沉积非晶硅层。 沉积工艺的第二部分使用物理气相沉积(PVD)通过溅射施加 ITO,形成异质结太阳能电池的 TCO 层。另一种工艺使用反应等离子体沉积 (RPD) 来应用 TCO 层,但这是一个不太受欢迎的选择。
顶栅结构用PECVD沉积栅极绝缘膜时,沟道层会受到等离子体带来的损伤。例如,栅介质引入的氢会对沟道产生扩散作用。 共面结构的源漏电极与栅电极形成于有源层的同一侧,不存在源漏图形化过程中对背沟道的伤害问题,且工艺简单。共面结构在刻蚀源漏极时,刻蚀液体或刻蚀气体会刻蚀掉部分栅极绝缘层,导致半导体/栅极绝缘层...
需要对已知用于沉积标准氢化非晶硅(a-S1: H)吸收层4的PECVD工艺进行调整以获得更好的材料品质和较高的电流密度。增加a-Si电池的电流密度的常用方法是通过降低SiH4等离子体的H稀释来降低吸收层4的带隙能量。然而,当应用该方法时可出现至少两个副作用:Voc减小,LID增加。与常用方法相反,此处结合使用降低的工艺压力和...
P层成份为a-Si:H:B:C,制备工艺为等离子增强型化学气相沉积(PECVD),它是一种高频(13.56MHz)辉光放电物理过程和化学反应相结合的技术,此法的优点是沉积速率快,成膜质量好,针孔少,不易龟裂,沉积的气源为SiH4,CH4,B2H6和He的混合气体。B2H6用来实现材料搀杂,He用作稀释气体,CH4的搀入是为了改善P层的光学性质。通...
该文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学气相沉积(UHV-PECVD)复合系统沉积a-Si<1-X>C<,X>:H<,K>薄膜及其特性。系统的真空度可达标10<'-9>Torr以上。通过控制H<,2>对常规用混合气体(SiH<,4>+CH<,4>)的稀释程度以及相应的CH<,4>比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化...
5. PECVD法低温制备纳米晶硅薄膜晶化特性的Raman分析 6. 超高真空脉冲激光沉积Au、U单层膜及Au/U/Au复合膜研究 7. SiO2衬底上PECVD-Si1-xGex薄膜研究 8. Si(100)上Ge1-xCx合金薄膜的CVD外延生长 9. 真空阴极电弧沉积TiB2薄膜的组织结构及其摩擦学性能的研究 10. 沉积TiB2薄膜的电极真空绝缘性能实验...