PECVD制备外延层的过程包括以下几个步骤: 1. 在单晶硅基底上沉积一层薄膜,这层薄膜通常是氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)。 2. 在薄膜表面上沉积一层外延层材料,例如硅(Si)或碳化硅(SiC)。 3. 通过PECVD在外延层表面沉积一层保护层,例如氮化硅(Si3N4)。 4. 在保护层表面上沉积...
采用液体源与常规PECVD技术结合来制备材料,所采用的方法完全与目前Si集成工艺相兼容。H2O-TEOS等离子体CVD技术是在形成氧化硅时应用等离子加强原理,以降低反应温度,增加氧化硅膜淀积速率。在RF等离子中,使H2O和TEOS呈活性状态,H2O和TEOS在气相形态下反应而形成的中间聚合体吸附在硅片上,在硅片表面中间聚合体起凝缩聚合反...
PECVD制备外延层的过程包括以下几个步骤: 在单晶硅基底上沉积一层薄膜,这层薄膜通常是氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)。 在薄膜表面上沉积一层外延层材料,例如硅(Si)或碳化硅(SiC)。 通过PECVD在外延层表面沉积一层保护层,例如氮化硅(Si3N4)。 在保护层表面上沉积一层金属,例如铝(Al)或钨(W),用于制备电极。