光学性能以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜.采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析.结果表明,Si-C键的强度和...
本文尝试利用RF-PECVD方法制备Si3N4薄膜,并研究了射频输入功率对Si3N4薄膜的表面形貌、硬度和弹性模量等性能的影响。 一、实验 (一)样品制备。实验中采用的设备为CC1,射频源、真空室、放电系统、真空泵和流量控制系统是构成CC1的主要部分。工艺配方如表1所示, 既不冷却衬底,也不对其加热,是Si3N4薄膜沉积的一大...
Properties of a-Si: H Prepared byRF-PECVD& DBD-PECVD and Their Compare; RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si:H薄膜的性能研究及其比较 2) RF-PECVD 射频等离子体增强化学气相沉积 1. The a-C:H films were grown by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) on the transition la...
RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si:H薄膜的性能研究及其比较 4) RF-PECVD 射频等离子体化学气相沉积 5) RF-PECVD 射频等离子体增强化学气相沉积 1. The a-C:H films were grown by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) on the transition layer coated stainless steel substrates. ...
本文尝试利用RF-PECVD方法制备Si3N4薄膜,并研究了射频输入功率对Si3N4薄膜的表面形貌、硬度和弹性模量等性能的影响。 一、实验 (一)样品制备。实验中采用的设备为CC1,射频源、真空室、放电系统、真空泵和流量控制系统是构成CC1的主要部分。工艺配方如表1所示, 既不冷却衬底,也不对其加热,是Si3N4薄膜沉积的一大...
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)和射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)相结合的技术,在普通载玻片和聚酰亚胺衬底上沉积制备微晶硅薄膜.系统考查了热丝到衬底的距离对沉积薄膜结构和性能的影响规律,用拉曼光谱仪,X-射线衍射仪(XRD),紫外可见光纤光谱仪对薄膜的晶化率,微观结构和光学性能进行研究.结果表明:薄膜沉积速率最高...
RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si:H薄膜的性能研究及其比较 5) Rf value Rf值 6) RF-PCVD RF-PVCD 参考词条 补充资料:Kayaku Homodye 2RF-S 分子式:暂无 分子量:暂无 CAS号:暂无 性质:黄棕色粉状,稍溶于水,易溶于硫化钠溶液中呈红光棕色至深棕色,在逍硫酸中呈暗蓝紫色,稀释后成棕色沉淀。染色物在碱怀保...
a-Si(1-x)Cx:H薄膜 PECVD 傅里叶转换红外光谱 紫外-可见光谱 光学性能以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx:H)薄膜。采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键...
光学性能以SiH4和CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4/SiH4流量比和射频功率制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-Si1-x Cx:H)薄膜.采用傅里叶转换红外光谱(FTIR)和紫外-可见(UV-Vis)光谱等测试手段,对薄膜的成键情况及其对光学带隙的影响进行了研究分析.结果表明,Si-C键的强度...
Study of the Si-O-N Barrier Properties by RF-PECVD; 射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)制备Si-O-N特种阻隔包装材料的研究 3. Properties of a-Si: H Prepared by RF-PECVD & DBD-PECVD and Their Compare; RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si:H薄膜的性能研究及其比较5...