采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD),以Fe作为催化剂,在Si基片上生长了碳纳米管(CNT),采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR TEM)以及显微Raman光谱等对制备的CNT的形貌及结构进行了表征。结果表明:700℃和800℃温度下生长的CNT均取向无序、弯曲缠结,由整齐排列的圆筒状石墨片构成,层间距约为0.34
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PECVD石墨舟 良好的射频涂层均匀性,高甚高频沉积速率,提高生产率 气体在外加射频场的作用下电离成相应的等离子体,根据射频施加频率的不同可分为RF-PECVD和VHF-PECVD,其中RF-PECVD的频率一般为13.56MHz,VHF-PECVD的频率一般在30-300MHz之间。 但是高频场很容易导致更多非均匀源的出现,产生驻波、奇点等效应。薄膜表面...
制成μc-Si:H薄膜的主要参数是H2的稀释度、适中的RF射频功率和较高的沉积压强,通过优化这些参数,来提高结晶率Xc,并优化其性能特征。 RF射频功率对微晶硅薄膜的厚度、沉积速率、表面粗糙度以及晶化率Xc的影响 我们通过对在PECVD反应器中以200℃的温度下,用不同RF射频功率(20、25、30、35、40、45W)沉积30分钟后...
气体分子在外加射频场下被电离成对应的等离子体,按照射频施加频率的不同,可分为 RF-PECVD 和 VHF-PECVD 两种,其中 RF-PECVD 的频率一般为 13.56MHz,VHF-PECVD 的频率一般在 30-300MHz 之间。由于射频频率与电 子和气体分子的碰撞几率成正相关关系,一定范围内升高射频频率,反应气体的分解速率将加快,短时间内产生...
RF-PECVD与VHF-PECVD工艺对比,数据源于迈为股份-公司研究报告:HJT整线设备龙头受益于行业规模扩产在即泛半导体领域加速布局-240924(71页).pdf。
RF-PECVD制备类金刚石膜的研究 采用RF- PECVD 法在锗(Ge)基片上沉积类金刚石(DLC)薄膜,研究了气体流量和气压对沉积区域均匀性的影响,以及基片厚度与沉积时间的关系。用拉曼光谱(Raman)分析DLC 膜的结构组成,用傅立叶红外光谱仪(IR)对DLC 膜的透过率进行了测量。结果表明,在气体流量为50 sccm,气压为10 Pa,功率...
PECVD上 射频发生器（RF电源）工作原理？PA的前端正常有一个一级驱动（控制板晶振给定信号），一级放大...
4) DC-RF-PECVD 直流射频等离子增强化学气相沉积 1. Diamond-like carbon films were successfully deposited on Si substrate by direct current radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (DC-RF-PECVD). 利用直流射频等离子增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石碳薄膜。
摘要：本文介绍了PECVD G8.5设备RF 系统的结构和工作原理。结合PECVD 设备在实际生产过程中反射功率过高的问题，通过RF Generator 设置，RF match 电容配比实验，设备故障以及备件管理的分析，制定了相应的解决对策，从而实现RF 系统阻抗匹配，降低RF 系统故障发生率。关键词：PECVD；阻抗匹配；反射功率；射频发生...