E d i t o r i a l o f f i c e o f A c t a P h y s i c o - C h i m i c a S i n i c a衬底温度对用 R F - P E C V D法制备的非晶硅薄膜光学性能影响李世彬1 , 2吴志明1 , 2 , *朱魁鹏16 1 0 0 5 4 ;蒋亚东2李伟2廖乃镘26 1 0 0 5 4 )(1电子科技大学光电信息学院, 成
RF—PECVD法在钢衬底上沉积氮化硅薄膜的研究 维普资讯 http://www.cqvip.com
摘要 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)法在聚酰亚胺衬底上制备了非晶硅薄膜,主要研究了射频功率对沉积速率、均匀性、薄膜应力的影响。实验结果表明,射频功率40w,气流量H2:siH4=60sccm:5sccm时,非晶硅薄膜的沉积进入了耗尽模式,速率约为12nm/min;同时薄膜的均匀性得到了明显改善。在此基础上获得了光电转换效...