从三种方法的工艺原理上看, APCVD 、 LPCVD 是热激活并维持化学反应发生,而 PECVD 是采用电能将反应气体等离子化从而热激活并维持化学反应发生的。 APCVD 工艺温度一般控制在气相质量输运限制区,采用冷壁式反应器,在薄膜淀积过程中应精确控制反应剂成分、计量和气相质量输运过程。主要缺点是有气相反应形成的颗粒物。
含义:APCVD——常压化学气相沉积法;LPCVD——低压化学气相沉积法;PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。 特点:APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产。APCVD易于发气相反应,沉积速率较快,可超过1000A/min,适合沉积厚介质层。但由于反应速度较快,两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生...
解析：PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) ，即等离子体增强化学气相淀积 。LPCVD(low pressure chemical vapor deposition)，即低压化学气相淀积。HDPCVD（high-density plasma chemical vapor deposition），即高密度等离子体化学气相淀积。APCVD（atmospheric pressure CVD），即常压化学气相淀积。
LPCVD相比APCVD需要更高的反应温度,因此能耗更高,对反应腔的耐高温性要求较高,实际反应过程与APCVD差异较小。 APCVD是最早出现的CVD方法,适用于微米级材料覆膜沉积,现逐渐被成膜质量更好的LPCVD取代。 目前国际市场中APCVD的核心企业为北方华创(Naura)、SPTS Tech(KLA旗下公司)、德国Schmid、Amaya、Aviza Technology和...
控制方式是：APCVD是常压CVD，LPCVD是低压CVD，PECVD等离子体增强CVD。利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，提高淀积速率。从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种...
APCVD://常压化学气相淀积 HDPCVD://高密度等离子体化学气相淀积 LPCVD://低压化学气相淀积 PECVD://等离子体增强化学气相淀积 PVD://物理气相淀积 BJT:双极型晶体管 CD://关键尺寸 CMOS:互补金属氧化物半导体 CMP:化学机械平坦化 MIC://可动离子玷污 ILD://层间介质 MBE://分子束外延 SOI:绝缘体上硅 DUV:...
新凯莱进入CVD/ALD领域大概率会避开与拓荆科技(PECVD龙头)、北方华创(LPCVD/APCVD)的直接竞争,选择以下两类技术路线: 1. 特种工艺CVD设备 • SiC外延设备: 第三代半导体是国产替代重点,新凯莱已在SiC测试设备(动态参数测试机)上有布局,可延伸至SiC外延生长设备(需高温CVD技术)。
LPCVD (Low Pressure) This technique permits either horizontal or vertical loading of the wafers into the furnace and accommodates large numbers of wafers for processing. It gives good conformal-step coverage with excellent purity and uniformity (typically better than APCVD and PECVD). There is less...
百度试题 题目APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是?相关知识点: 试题来源: 解析 常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、等离子增强化学气相淀积和高密度等离子体化学气相淀积 反馈 收藏
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