简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。 正确答案 APCVD——一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的,由于反应速率快,CVD系统简单,适于较厚的介质淀积。APCVD缺点:台阶覆盖性差;膜厚均匀性差;效率低。常压下扩散系数小,hg<在LPCVD系统中,因为低压使得扩散率增加,因此𝒉𝒈变大使得𝒉𝒈>>𝒌𝒔,生长速率受表面化学...
含义:APCVD——常压化学气相沉积法;LPCVD——低压化学气相沉积法;PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。 特点:APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产。APCVD易于发气相反应,沉积速率较快,可超过1000A/min,适合沉积厚介质层。但由于反应速度较快,两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生...
含义:APCVD——常压化学气相沉积法;LPCVD——低压化学气相沉积法;PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。 特点:APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产。APCVD易于发气相反应,沉积速率较快,可超过1000A/min,适合沉积厚介质层。但由于反应速度较快,两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生...
从三种方法的工艺原理上看, APCVD 、 LPCVD 是热激活并维持化学反应发生,而 PECVD 是采用电能将反应气体等离子化从而热激活并维持化学反应发生的。 APCVD 工艺温度一般控制在气相质量输运限制区,采用冷壁式反应器,在薄膜淀积过程中应精确控制反应剂成分、计量和气相质量输运过程。主要缺点是有气相反应形成的颗粒物。
APCVD://常压化学气相淀积 HDPCVD://高密度等离子体化学气相淀积 LPCVD://低压化学气相淀积 PECVD://等离子体增强化学气相淀积 PVD://物理气相淀积 BJT:双极型晶体管 CD://关键尺寸 CMOS:互补金属氧化物半导体 CMP:化学机械平坦化 MIC://可动离子玷污 ILD://层间介质 MBE://分子束外延 SOI:绝缘体上硅 DUV:...
百度试题 题目APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是?相关知识点: 试题来源: 解析 常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、等离子增强化学气相淀积和高密度等离子体化学气相淀积 反馈 收藏
解析：PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) ，即等离子体增强化学气相淀积 。LPCVD(low pressure chemical vapor deposition)，即低压化学气相淀积。HDPCVD（high-density plasma chemical vapor deposition），即高密度等离子体化学气相淀积。APCVD（atmospheric pressure CVD），即常压化学气相淀积。
说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。 说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。 含义:APCVD——常压化学气相沉积法;LPCVD——低压化学气相沉积法;PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。 特点:APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产。
APCVD与LPCVD设备 APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition),常压化学气象沉淀法,通常是指在标准大气压下利用气体化合物在固体基板上发生化学反应生成薄膜的工艺。由于标准大气压下气体分子密度较高,APCVD法沉积速率极快,高达600-1000nm/min。 进行APCVD之前一般需要用不参与反应的惰性气体(常用氮气、氩气等)...
控制方式是：APCVD是常压CVD，LPCVD是低压CVD，PECVD等离子体增强CVD。利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，提高淀积速率。从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种...