含义:APCVD——常压化学气相沉积法;LPCVD——低压化学气相沉积法;PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。 特点:APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产。APCVD易于发气相反应,沉积速率较快,可超过1000A/min,适合沉积厚介质层。但由于反应速度较快,两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生...
APCVD缺点:台阶覆盖性差;膜厚均匀性差;效率低。常压下扩散系数小,hg<在LPCVD系统中,因为低压使得扩散率增加,因此𝒉𝒈变大使得𝒉𝒈>>𝒌𝒔,生长速率受表面化学反应控制,与气流的均匀性无关,硅片可以竖直紧密排列,容量大。LPCVD缺点:淀积速率慢,生长温度高...
答案:APCVD——一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的,由于反应速率快,CVD系统简单,适于较厚的... 你可能感兴趣的试题 问答题 【论述题】CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率? 答案:CVD过程包括两个部分:一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应存在...
问答题 简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。本题答案:微信扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《___》或《___》题库
含义:APCVD——常压化学气相沉积法;LPCVD——低压化学气相沉积法;PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。 特点:APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产。APCVD易于发气相反应,沉积速率较快,可超过1000A/min,适合沉积厚介质层。但由于反应速度较快,两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生...
百度试题 题目简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。 说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。 含义:APCVD——常压化学气相沉积法;LPCVD——低压化学气相沉积法;PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。 特点:APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产。
LPCVD缺点:淀积速率慢,生长温度高 PECVD——等离子体增强化学气相淀积(PECVD.是目前最主要的化学气相淀积系统。APCVD和LPCVD都是利用热能来激活和维持化学反应,而PECVD是通过射频等离子体来激活和维持化学反应,受激发的分子可以在低温下发生化学反应,所以淀积温度比APCVD和LPCVD低(200-350℃),淀积速率也更高,淀积的...
百度试题 题目说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。相关知识点: 试题来源: 解析 含义:APCVD——常压化学气相沉积法;LPCVD——低压化学气相沉积法;PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。反馈 收藏