这两个特性保证了所淀积薄膜有良好的均匀性,以及填充小尺寸结构的能力。由于PECVD与非等离子体CVD相比,淀积过程有更多的非平衡特点,故也可以更容易地改变薄膜性质(组成、密度、应力等),并且对于特定的应用可修正这些性能。然而,这也会使薄膜产生不希望有的组分或者性质,如副产品或气体分子结合进薄膜。
含义:APCVD——常压化学气相沉积法;LPCVD——低压化学气相沉积法;PECVD——等离子体增强型化学气相沉积法。 特点:APCVD制程发生在大气压力常压下,适合在开放环境下进行自动化连续生产。APCVD易于发气相反应,沉积速率较快,可超过1000A/min,适合沉积厚介质层。但由于反应速度较快,两种反应气体在还未到达硅片表面就已经发生...
从三种方法的工艺原理上看, APCVD 、 LPCVD 是热激活并维持化学反应发生,而 PECVD 是采用电能将反应气体等离子化从而热激活并维持化学反应发生的。 APCVD 工艺温度一般控制在气相质量输运限制区,采用冷壁式反应器,在薄膜淀积过程中应精确控制反应剂成分、计量和气相质量输运过程。主要缺点是有气相反应形成的颗粒物。
PECVD的突出优点是低温沉积,薄膜纯度和密度更高。反应压强与LPCVD相差不大,紧随着LPCVD技术而发展,但PECVD技术需要的等离子体能量反应温度较低(100~300℃),因此,可以在熔点更低的金属互连层上沉积二氧化硅等薄膜。另外,PECVD沉积速率更快、台阶覆盖率更好,能够沉积大多数主流的介质薄膜、包括一些先进的low-k材料、硬掩...
现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。 答案:反应室类型热壁:反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热,可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻...
解析：PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) ，即等离子体增强化学气相淀积 。LPCVD(low pressure chemical vapor deposition)，即低压化学气相淀积。HDPCVD（high-density plasma chemical vapor deposition），即高密度等离子体化学气相淀积。APCVD（atmospheric pressure CVD），即常压化学气相淀积。
问答题 简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。本题答案:微信扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《___》或《___》题库
LPCVD是低压CVD，PECVD等离子体增强CVD。利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，提高淀积速率。从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。
根据LPCVD在薄膜沉积设备中约占11%规模估计,LPCVD全球市场规模2021年约20亿美元,2025年约为37.4亿美元。 PECVD设备 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition),等离子增强化学气相沉积法,是在反应腔内通过微波或射频等方式施加电场,使少量自由电子被加速轰击气体分子,从而将气体分子里的非自由电子激发产生链式反应,...
LPCVD (Low Pressure) This technique permits either horizontal or vertical loading of the wafers into the furnace and accommodates large numbers of wafers for processing. It gives good conformal-step coverage with excellent purity and uniformity (typically better than APCVD and PECVD). There is less...