但是,PECVD工艺的缺点包括成膜不稳定,有爆膜情况,以及成膜速度较慢,产能较小。 三、LPCVD和PECVD工艺的比较 LPCVD和PECVD工艺在沉积氮化硅时各有其优缺点。LPCVD工艺沉积的氮化硅薄膜质量好,但能耗大,成本高,兼容性差;PECVD工艺沉积速率高,能耗低,成本低,但成膜不稳定,产能较小。选择哪种工艺取决于具体的应用需...