百度试题 题目简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。相关知识点: 试题来源: 解析反馈 收藏
问答题 简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。本题答案:微信扫下方二维码即可打包下载完整带答案解析版《___》或《___》题库
简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。 正确答案 APCVD——一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的,由于反应速率快,CVD系统简单,适于较厚的介质淀积。APCVD缺点:台阶覆盖性差;膜厚均匀性差;效率低。常压下扩散系数小,hg<在LPCVD系统中,因为低压使得扩散率增加,因此𝒉𝒈变大使得𝒉𝒈>>𝒌𝒔,生长速率受表面化学...
简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。 参考答案:APCVD——一些最早的CVD工艺是在大气压下进行的,由于反应速率快,CVD系统简单,适于较厚的... 点击查看完整答案 您可能感兴趣的试卷 你可能感兴趣的试题 1.问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?
LPCVD缺点:淀积速率慢,生长温度高 PECVD——等离子体增强化学气相淀积(PECVD.是目前最主要的化学气相淀积系统。APCVD和LPCVD都是利用热能来激活和维持化学反应,而PECVD是通过射频等离子体来激活和维持化学反应,受激发的分子可以在低温下发生化学反应,所以淀积温度比APCVD和LPCVD低(200-350℃),淀积速率也更高,淀积的...