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NPT(FS)：与PT-IGBT相比，NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低，所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽，但由于基区少子寿命很长，使得基区载流子电导调制效应更加显著，NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。FS-IGBT: FS-IGBT具有N+缓冲层...
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用于大功率,高性能工业应用的NPTIGBT无
国内某品牌220V/380V双电压输入电焊机,型号为ZX7-250ML,全桥电路拓扑,单台机器IGBT用量为4pcs, 25A1200V单管IGBT,机器初始设计用国际F品牌 NPT-IGBT单管,测试时用国际I品牌FS-IGBT和君芯FS-IGBT单管器件直接替换测试,未调整驱动电路。工作时IGBT开关频率为26kHz。
NPT型IGBT的工艺流程主要包括以下几个步骤: 1. 芯片制造:首先,制造IGBT芯片。这个过程包括硅片生长、氧化、光刻、离子注入、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、蚀刻等步骤。在这些步骤中,形成IGBT的结构,包括n型漂移区、p型注入区、n型发射极、p型基底等。 2. 芯片切割:将制造好的IGBT芯片切割成单个器件。
3、PT-igbt模块与NPT-igbt模块生产工艺与技术性的差异 PT与NPT生产工艺的差异如下所示: PT-igbt模块芯片的制造从集电区(P+背发射区)开始,先在单晶硅的反面形成低掺杂的P+发射区,之后用外延工艺在单晶硅的正面逐一形成N十缓冲区、MOS构造。 NPT-igbt模块芯片的制造从基区(N-漂移区)开始,先往N型单晶硅的正面形...
HGTG5N120BND 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。应用 不间断电源 参数 IGBT类型：NPT(非穿通型)：集射极击穿电压(Vces)：1.2kV：集电极电流(Ic)：21A：功率(Pd)：167W：集电极脉冲电流(...
non punchthrough insulated-gate bipolar transistor (缩写)非穿通绝缘栅双极晶体管