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NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS:FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需...
下面详细介绍NPT型IGBT的工艺流程: 1. 芯片制造 芯片制造是NPT型IGBT生产的第一步,主要包括以下几个环节: (1)外延:在硅衬底上生长一层或多层外延层,形成n型或p型半导体材料。 (2)氧化:在外延层表面生长一层氧化层,用于形成绝缘栅。 (3)光刻:利用光刻技术在氧化层上形成绝缘栅图案。 (4)离子注入:将掺杂剂...
NPT型IGBT的工艺流程主要包括以下几个步骤: 1. 芯片制造:首先,制造IGBT芯片。这个过程包括硅片生长、氧化、光刻、离子注入、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、蚀刻等步骤。在这些步骤中,形成IGBT的结构,包括n型漂移区、p型注入区、n型发射极、p型基底等。 2. 芯片切割:将制造好的IGBT芯片切割成单个器件。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 2023-02-22 16:53:472348三极管等效电路分析 我们知道,三极管有它的等效电路,那么,这个等效电路是如何...
IGBT(NPT型结构)的寄生组件和等效电路 IGBT(NPT型结构)的寄生组件和等效电路
摘要：对NPT型IGBT电热仿真模型的工作原理进行了概述，并将模型参数分为电参数（即基于半导体物理的Hefner器件模型参数）和热参数（即反映器件封装传热的Cauer网络参数）两大类，然后对近年来模型参数提取方法的研究情况进行讨论。依据提取技术手段的不同将IGBT电参数提取方法归纳为仿真提取、经验估计、参数隔离和参数优化4...
NPT型IGBT静态模型分析及仿真