根据半导体材料的类型,光伏电池可以分为n型和p型两种。 一、n型和p型光伏电池的区别 材料类型不同 n型光伏电池使用的是n型半导体材料,如 2024-08-08 09:25:02 逆阻型IGBT的相关知识点介绍 的纵向NPT-IGBT基本相同,其有源区在正面,包括多晶硅栅极、n+发射区和p基区,然后有源区的下面是n-漂移区,最后是...
英飞凌科技德累斯顿公司取得具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT专利 |快报 返回搜狐,查看更多 平台声明:该文观点仅代表作者本人,搜狐号系信息发布平台,搜狐仅提供信息存储空间服务。
p-是指低掺杂浓度，p+是指高掺杂浓度，相应的n也是一样的
金融界2024年10月21日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技德累斯顿公司取得一项名为“具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT”的专利，授权公告号CN 109935632 B，申请日期为2018年12月。本文源自：金融界 作者：情报员
英飞凌科技德累斯顿公司取得具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT专利 快报2024-10-21 08:54:20 金融界灵通君 北京 举报 0 分享至 0:00 / 0:00 速度 洗脑循环 Error: Hls is not supported. 视频加载失败 金融界灵通君 69粉丝 金融界旗下账号 00:44 新晨科技:多位股东减持计划实施完毕 快报 ...
专利摘要:本发明公开了具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT。一种功率半导体器件,具有耦合到第一和第二负载端子结构的半导体主体,所述半导体主体被配置成在器件的导通状态期间传导负载电流并且具有漂移区。所述功率半导体器件包括多个单元,每个单元具有:在第一单元部分中的第一台面,所述第一台面包括:第一端口区,...
逆变功率模块损坏?跟着这招,从此告别维修烦恼#维修#光伏在进行逆变功率模块的故障检查时,我们需要关注IGBT、IPM等主要部件。检查它们的外观是否存在破裂的迹象,同时注意端子与相连印制板之间是否有烧蚀痕迹。利用万用表进行测试,确保C-E、 - 工控数控设备维修于202402
重要属性 行业属性 类型 IGBT模块 D/C 新建 封装 标准 其他属性 封装/外壳 模块 安装类型 螺钉安装 描述 IGBT模块1200v/88A 型号 SKIIP26AC126V1 原产地 Guangdong, China 品牌 Original 电流 88A 系列 SKIIP 展开 交货时间定制评分评价 产品评价 (0) 店铺评价 (6) 4.6 非常满意 基于6 条评论真...
绘出①晶闸管、②MOSFET(含N、P沟道两种)、③GTR、④IGBT四个常见电力电子器件的电路符号,并标注它们的引脚代号和引脚名称。
SKIIP38NAB12T4V1 原产地 Afghanistan 品牌 SKIIP38NAB12T4V1 功能应用 - 零件号 电源 交货时间 定制 评分评价 4.9 非常满意 供应商服务 4.9 按时发货 4.9 商品质量 4.8 全部照片或视频 (9) 展示包含以下内容的评论: 完美交付 (10)好工作 (8)良好的服务 (4) ...