根据半导体材料的类型,光伏电池可以分为n型和p型两种。 一、n型和p型光伏电池的区别 材料类型不同 n型光伏电池使用的是n型半导体材料,如 2024-08-08 09:25:02 逆阻型IGBT的相关知识点介绍 的纵向NPT-IGBT基本相同,其有源区在正面,包括多晶硅栅极、n+发射区和p基区,然后有源区的下面是n-漂移区,最后是...
p-是指低掺杂浓度，p+是指高掺杂浓度，相应的n也是一样的
金融界2024年10月21日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技德累斯顿公司取得一项名为“具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT”的专利，授权公告号CN 109935632 B，申请日期为2018年12月。本文源自：金融界 作者：情报员
它是一种复合器件，其输入控制部分为MOSFET，输出级为双级结型三极晶体管，应该不分PNP和NPN，只分输入是N沟道还是P沟道的
专利摘要:本发明公开了具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT。一种功率半导体器件,具有耦合到第一和第二负载端子结构的半导体主体,所述半导体主体被配置成在器件的导通状态期间传导负载电流并且具有漂移区。所述功率半导体器件包括多个单元,每个单元具有:在第一单元部分中的第一台面,所述第一台面包括:第一端口区,...
跟着这招,从此告别维修烦恼#维修#光伏在进行逆变功率模块的故障检查时,我们需要关注IGBT、IPM等主要部件。检查它们的外观是否存在破裂的迹象,同时注意端子与相连印制板之间是否有烧蚀痕迹。利用万用表进行测试,确保C-E、G-C、G-E之间的通路正常。另外,通过测量P对U、V、W和N对U、V、W的电阻值,观察是否存在不...
英飞凌科技德累斯顿公司取得具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT专利 |快报 返回搜狐,查看更多 平台声明:该文观点仅代表作者本人,搜狐号系信息发布平台,搜狐仅提供信息存储空间服务。
CXMS5103是一种基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可独立驱动两个N通道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600V。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计用于最小驱动器交叉传导。传播延迟被匹配以简化在高频应用中的使用。