Punch-Through(PT)型IGBT的特点是在其制造过程中,使用高浓度的P+直拉单晶硅作为起始材料,然后在上面生长一层掺杂浓度较高的N型缓冲层(N-buffer层),接着在其上继续淀积轻掺杂的N型外延层作为IGBT的漂移区。这种结构的设计使得IGBT在导通时,电流能够穿透整个N型区域,从而命名为“穿通型”。 与非穿通型(NPT)IGBT...
NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS:FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需...
PT型IGBT,即Punch-Through型IGBT,其独特之处在于其构造设计。它采用高浓度的P+直拉单晶硅作为基底,随后覆盖一层高掺杂的N型缓冲层,再之上则是轻掺杂的N型外延层,构成IGBT的漂移区。此设计允许电流在导通时穿透整个N型区,因此得名“穿通型”。与NPT型相比,PT-IGBT的背部P+发射区更薄且掺杂浓度更低,导致背发射...
PT-IGBT芯片的生产从集电区(P+背发射区)开始,先在单晶硅的背面生成低掺杂的P+发射区,然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成N十缓冲区、MOS结构。 NPT-IGBT芯片的生产从基区(N-漂移区)开始,先在N型单晶硅的正面生成MOs结构,然后用研磨减薄工艺从背面减薄到IGBT电压规格需要L的厚度,再从背面用离子注入工艺生成集...
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1、PT-IGBT 图1其实是PT型1GBT芯片的内部结构,图2(c)是其导电的工作原理。所言的PT(PunchThrough,穿通型),指的是电场穿透了N-漂移区(图1中③),电子与空穴的重要汇合点在N1区[图1(c)]。 NPT在实验室内完成的时间段(1982年)要早于PT(1985),但工艺上的因素促使PT规模商用化的时间段比NPT早,因此第1...
PT-IGBT、NPT-IGBT、FS-IGBT应用技术对比 PT-IGBT 以数百微米厚的P+单晶为起始材料(衬底) ,之后外延N+缓冲层和N-耐压层,复杂的正面结构在外延层上制造。这种结构的IGBT,其集电区为重掺杂厚衬底,对少数载流子电子是非透明。器件导通压降和关断损耗之间的折中,主要通过优化缓冲层结构(掺杂和厚度)以及全局载流子寿命...
·PT-IGBT:采用平面栅或者沟槽栅,技术改进的主要方向是控制载流子寿命和优化N+缓冲区。 ·NPT-IGBT:采用平面栅或者沟槽栅,技术改进的主要方向是减小芯片厚度.。 PT与NPT结构与原理对比 1.PT-IGBT 所谓PT(Punch Through,穿通型),是指电场穿透了N-漂移区(图1中③),电子与空穴的主要汇合点在N一区[图1(c)]。
PT-IGBT和NPT-IGBT都属于IGBT的一种类型,它们与传统的IGBT相比,在性能和成本上都有很大的提高。PT-IGBT的漏电流非常低,运行速度也很快,而NPT-IGBT则更适合于中功率应用。此外,PT-IGBT的开关速度比NPT-IGBT更快,但是它的损耗也更大。因此,在选择哪种类型的IGBT时,应该根据实际应用需求来进行判断。
PT与NPT生产工艺的区别如下: ·PT-IGBT芯片的生产从集电区(P+背发射区)开始,先在单 晶 硅的背面生成低掺杂的P+发射区,然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成N十缓冲区、MOS结构。 ·NPT-IGBT芯片的生产从基区(N-漂移区)开始,先在N型单 晶 硅的正面生成MOs结构,然后用研磨减薄工艺从背面减薄到 IGBT 电压...