PT型IGBT,即Punch-Through型IGBT,其独特之处在于其构造设计。它采用高浓度的P+直拉单晶硅作为基底,随后覆盖一层高掺杂的N型缓冲层,再之上则是轻掺杂的N型外延层,构成IGBT的漂移区。此设计允许电流在导通时穿透整个N型区,因此得名“穿通型”。与NPT型相比,PT-IGBT的背部P+发射区更薄且掺杂浓度更低,导致背发射...
Punch-Through(PT)型IGBT的特点是在其制造过程中,使用高浓度的P+直拉单晶硅作为起始材料,然后在上面生长一层掺杂浓度较高的N型缓冲层(N-buffer层),接着在其上继续淀积轻掺杂的N型外延层作为IGBT的漂移区。这种结构的设计使得IGBT在导通时,电流能够穿透整个N型区域,从而命名为“穿通型”。 与非穿通型(NPT)IGBT...
NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS:FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需...
PT-IGBT芯片的生产从集电区(P+背发射区)开始,先在单晶硅的背面生成低掺杂的P+发射区,然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成N十缓冲区、MOS结构。 NPT-IGBT芯片的生产从基区(N-漂移区)开始,先在N型单晶硅的正面生成MOs结构,然后用研磨减薄工艺从背面减薄到IGBT电压规格需要L的厚度,再从背面用离子注入工艺生成集...
CTT165GK18PT 西班牙 可控硅IGBT功率模块 现货全新原装 批次21+ CTT165GK18PT 9993 西班牙 标准 21+ ￥210.0000元1~4 个 ￥205.0000元5~-- 个 上海辉皓实业有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 CTT253GK20PT 西班牙 可控硅IGBT功率模块 现货全新原装 批次21+ CTT253GK20PT 9999 西班...
综上所述,IGBT的分类及主要参数是非常重要的,它们是决定IGBT是否能够用于不同应用的关键因素。而PT-IGBT和NPT-IGBT的区别在于它们适用于不同的功率应用,因此在选择使用哪种类型的IGBT时,需要根据实际情况进行选择。无论如何,IGBT作为一种非常先进的晶体管技术,将继续在电气工程领域发挥着重要的作用。
·PT-IGBT芯片的生产从集电区(P+背发射区)开始,先在单 晶 硅的背面生成低掺杂的P+发射区,然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成N十缓冲区、MOS结构。 ·NPT-IGBT芯片的生产从基区(N-漂移区)开始,先在N型单 晶 硅的正面生成MOs结构,然后用研磨减薄工艺从背面减薄到 IGBT 电压规格需要 L的厚度,再从背面用...
PT-IGBT与NPT-IGBT的区别 PT-IGBT与NPT-IGBT是同是采用沟槽栅或平面栅技术,但是他们的发展方向不一致。 ·PT-IGBT:采用平面栅或者沟槽栅,技术改进的主要方向是控制载流子寿命和优化N+缓冲区。 ·NPT-IGBT:采用平面栅或者沟槽栅,技术改进的主要方向是减小芯片厚度.。
解析 PT是指穿通型,NPT是指非穿通型,具体剖面图来看,PT比NPT多了一个N+缓冲层.结果一 题目 igbt中的PT与NPT是什么意思? 答案 PT是指穿通型,NPT是指非穿通型,具体剖面图来看,PT比NPT多了一个N+缓冲层.相关推荐 1igbt中的PT与NPT是什么意思?
穿通(PT)型非穿通(NPT)型准饱和效应解析分析在绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开通过程中,从断态到通态(即饱和态)的过程中要经过一个 准饱和区.因为结的准饱和状态而增加的压降与直流线电压几乎没有任何关系.尽管该压降值比直流线电压小得多,但是因为对于高压快速IGB了来说,其时间常 数相当大,所以造成的损耗也...