NPT(FS)：与PT-IGBT相比，NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低，所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽，但由于基区少子寿命很长，使得基区载流子电导调制效应更加显著，NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。FS-IGBT: FS-IGBT具有N+缓冲层...
NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS:FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需...
NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS-IGBT: FS-IGBT具有N+缓冲层,...
PT-IGBT芯片的生产从集电区(P+背发射区)开始,先在单晶硅的背面生成低掺杂的P+发射区,然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成N十缓冲区、MOS结构。 NPT-IGBT芯片的生产从基区(N-漂移区)开始,先在N型单晶硅的正面生成MOs结构,然后用研磨减薄工艺从背面减薄到IGBT电压规格需要L的厚度,再从背面用离子注入工艺生成集...
相比之下,在NPT-IGBT中,由于背面发射极电流中电子流成分较大,器件关断时,大量储存在基区的电子可以快速通过背面流出,而空穴则迅速流向P阱,因此拖尾电流较小,开关损耗也较低。因此,NPT-IGBT不需要使用少子寿命控制技术。此外,NPT型IGBT的一个显著优点是在关断时,拖尾电流随着温度的变化很小,因此具有较高的可靠性。
PT与NPT结构与原理对比-PT-IGBT很好地解决了IGBT的闩锁问题,但是需要增加外延层厚度,技术复杂,成本也高。IGBT芯片中的外延层与电压规格是直接相关的,电压规格越高、外延层越厚,IZOOV、2000V的PT-IGBT外延层厚度分别达到了100μm和200μm。
穿通(PT)型非穿通(NPT)型准饱和效应解析分析在绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开通过程中,从断态到通态(即饱和态)的过程中要经过一个 准饱和区.因为结的准饱和状态而增加的压降与直流线电压几乎没有任何关系.尽管该压降值比直流线电压小得多,但是因为对于高压快速IGB了来说,其时间常 数相当大,所以造成的损耗也...
解析 PT是指穿通型,NPT是指非穿通型,具体剖面图来看,PT比NPT多了一个N+缓冲层.结果一 题目 igbt中的PT与NPT是什么意思? 答案 PT是指穿通型,NPT是指非穿通型,具体剖面图来看,PT比NPT多了一个N+缓冲层.相关推荐 1igbt中的PT与NPT是什么意思?
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Punch-Through(PT)型IGBT的特点是在其制造过程中,使用高浓度的P+直拉单晶硅作为起始材料,然后在上面生长一层掺杂浓度较高的N型缓冲层(N-buffer层),接着在其上继续淀积轻掺杂的N型外延层作为IGBT的漂移区。这种结构的设计使得IGBT在导通时,电流能够穿透整个N型区域,从而命名为“穿通型”。 与非穿通型(NPT)IGBT...