NPT(FS)：与PT-IGBT相比，NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低，所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽，但由于基区少子寿命很长，使得基区载流子电导调制效应更加显著，NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。FS-IGBT: FS-IGBT具有N+缓冲层...
NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS:FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需...
PT-IGBT芯片的生产从集电区(P+背发射区)开始,先在单晶硅的背面生成低掺杂的P+发射区,然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成N十缓冲区、MOS结构。 NPT-IGBT芯片的生产从基区(N-漂移区)开始,先在N型单晶硅的正面生成MOs结构,然后用研磨减薄工艺从背面减薄到IGBT电压规格需要L的厚度,再从背面用离子注入工艺生成集...
NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS-IGBT: FS-IGBT具有N+缓冲层,...
从纵向结构的角度来看,IGBT可以分为穿通型(PT)和非穿通型(NPT)。这两种结构的划分基于在临界击穿电压下,P基-N漂移区的耗尽层是否穿过N-基区。
PT与NPT结构与原理对比-PT-IGBT很好地解决了IGBT的闩锁问题,但是需要增加外延层厚度,技术复杂,成本也高。IGBT芯片中的外延层与电压规格是直接相关的,电压规格越高、外延层越厚,IZOOV、2000V的PT-IGBT外延层厚度分别达到了100μm和200μm。
PT是指穿通型,NPT是指非穿通型,具体剖面图来看,PT比NPT多了一个N+缓冲层. 分析总结。 pt是指穿通型npt是指非穿通型具体剖面图来看pt比npt多了一个n缓冲层结果一 题目 igbt中的PT与NPT是什么意思? 答案 PT是指穿通型,NPT是指非穿通型,具体剖面图来看,PT比NPT多了一个N+缓冲层.相关推荐 1igbt中的...
解析 PT是指穿通型,NPT是指非穿通型,具体剖面图来看,PT比NPT多了一个N+缓冲层.结果一 题目 igbt中的PT与NPT是什么意思? 答案 PT是指穿通型,NPT是指非穿通型,具体剖面图来看,PT比NPT多了一个N+缓冲层.相关推荐 1igbt中的PT与NPT是什么意思?
NPT,FS:很大的电流范围内是正温度系数。NPT-IGBT中,载流子寿命较长,温度的增加对载流子增加影响很小。在这种情况下,随着温度升高,降低的载流子迁移率u和增加的集电极及发射极的接触电阻成为影响导通压降的主要因素。在非常低的正向电流时,NPT IGBT也表现为负温度系数,当电流稍微增大时,IGBT就转化为正温度系数。因此,...
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