NPT(FS)：与PT-IGBT相比，NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低，所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽，但由于基区少子寿命很长，使得基区载流子电导调制效应更加显著，NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。FS-IGBT: FS-IGBT具有N+缓冲层...
NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS:FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需...
NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS-IGBT: FS-IGBT具有N+缓冲层,...
在NPT(Non-Punch Through)和FS(Field Stop)型IGBT中,背面P+发射区相对较薄且掺杂浓度较低,因此背面发射区的注入效率比PT-IGBT要低得多。虽然NPT(FS)-IGBT的背面发射效率较低且基区较宽,但由于基区载流子的寿命较长,导致基区的电导调制效应更加显著。因此,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT型高。 FS-IGBT具有N+...
NPT: 在NPT-IGBT中,因为背发射极电流中电子流成分很大,器件关断时,基区存储的大量电子可以通过流向背发射区而很快清除掉,空穴可以迅速流向P阱,所以拖尾电流小,开关损耗小,因此不需要少子寿命控制技术。另外NPT型IGBT有一个突出优点就是器件关断时拖尾电流随温度变化很小,器件的可靠性很高。 FS:FS相对于NPT,拖尾电流...
穿通型（PT）非穿通型（NPT）场中止型（FS）IGBT及其技术的整理 PT-IGBT以数百微米厚的P+单晶为起始材料(衬底) ，之后外延N+缓冲层和N-耐压 层，复杂的正面结构在外延层上制造。这种结构的IGBT，其集电区为重掺杂厚衬底，对少数载流子电子是非透明。器件导通压降和关断损耗之间的折中，主要通过优化缓冲层结构(...
工艺技术 NPT-IGBT 西门子 功率晶体管 开关电源 双极晶体管 单开关 感应加热 功率变换 逆变器IGBT的NPT和PT工艺技术比较 IGBT(绝缘栅双极晶体管)的应用主要是在功率变换方面,其范围从电机,机器人,工业驱动及风机泵类所用的小型逆变器到城市运输牵引系统巾的单轮驱动,以及其它如感应加热,开关电源,不间断电源和电动汽...
穿通型(PT)非穿通型(NPT)场中止型(FS)IGBT及其技术的整理PT-IGBT以数百微米厚的P+单晶为起始材料(衬底) ,之后外延N+缓冲层和N-耐压层,复杂的正面结构在外延层上制造。 这种结构的IGBT,其集电区为重掺杂厚衬底,对少数载流子电子是非透明。 器件导通压降和关断损耗之间的折中,主要通过优化缓冲层结构(掺杂和厚...
PT-IGBT、NPT-IGBT、FS-IGBT应用技术对比 PT-IGBT 以数百微米厚的P+单晶为起始材料(衬底) ,之后外延N+缓冲层和N-耐压层,复杂的正面结构在外延层上制造。这种结构的IGBT,其集电区为重掺杂厚衬底,对少数载流子电子是非透明。器件导通压降和关断损耗之间的折中,主要通过优化缓冲层结构(掺杂和厚度)以及全局载流子寿命...
PT-IGBT与NPT-IGBT的区别 1、PT-IGBT 图1实际上是PT型1GBT芯片的结构图,图2(c)是其导电原理。所谓PT(PunchThrough,穿通型),是指电场穿透了N-漂移区(图1中③),电子与空穴的主要汇合点在N一区[图1(c)]。 NPT在实验室实现的时间(1982年)要早于PT(1985),但技术上的原因使得PT规模商用化的时间比NPT早...