NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS:FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需...
FS型IGBT通过在漂移区引入特殊设计的“场终止”层,这一层可以有效地控制电场分布,使得载流子在高电场区域的浓度得以优化,从而降低了器件的导通压降,提高了效率。与普通IGBT相比,FS-IGBT能够在较高电压下更好地抑制电导调制效应,这有助于减少导通损耗,特别是在高电压应用中表现更为明显。由于场终止层的作用,FS型IGBT...
一种fs-igbt的制备方法【技术领域】[0001]本发明属于功率半导体器件技术领域,涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具体涉及场截止型绝缘栅双极型晶体管(FS-1GBT)的制备方法。【背景技术】[0002]绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOS场效应和双极型晶体管复合的新型电力电子器件,它既有MOSFET易于驱动,控制简单的优点,又有...
型号 FS450R17KE3/AGDR-71C 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动...
原装IGBT模块FS450R17KE3/AGDR-61C S 拧线形：这种封装形式具有特定的结构和外观设计，能够适应特定的安装和使用需求。焊针形：通过焊接方式与其他组件进行连接，提供良好的电气和机械连接性能。平板式：结构紧凑、易于安装，广泛应用于各种电子设备中。圆盘式：通常用于需要较高散热性能的场合，能够有效地将热量散发...
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FS225R12KE31200 V 225 A 六单元 IGBT模块 EconoPACK™ + B-系列 1200V 六单元IGBT模块,配备沟槽栅/场终止 IGBT3 和高效发射极控制二级管. 同时请了解EconoPACK+ D-系列新设计:FS225R12OE4 特征描述 直流和交流易于分离 优化外壳到散热片的热电阻 ...
提供一种场中止型绝缘栅型双极晶体管及其制造方法.该方法依次具备下述步骤:形成缓冲层(20)的步骤,在晶片(10)正面形成N+缓冲层(20);形成N型器件层(40)的步骤,在N+缓冲层(20)上通过外延生长而形成N型器件层(40);形成IGBT结构的步骤,在N型器件层(40)上形成IGBT的正面结构;以及形成集电极(60)的步骤,在晶片(...
FS IGBT是在NPT IGBT基础上开发的IGBT,其内部分集电极层结构及电场分布如图1所示。其设计目的是为了尽可能地降低IGBT的总损耗。由于增加了电场终止层,所以N-型衬底就不像NPT IGBT那样厚,可以稍微薄一些。在反向阻断时,如果电压较高,电场渗入到N-型衬底后线性降低,电场终止层可以截止剩余的电场这种情况下,形成了类似...
本文就现有的IGBT元器件进行分析,并分析FS-IGBT芯片的背面工艺,为芯片工艺制作提供技术支撑。 1工作原理 FS-IGBT是在传统的NPT-IGBT结构基础上衍生而来,其结构见图1所示。传统NPI-IGBT结构制作工艺是将n型单晶硅转化为n漂移区中作为衬底,随后使用P离子后形成了nFS层。传统NPI-IGBT集成过程中掺杂浓度比较高,从而导致...