PT-IGBT芯片的生产从集电区(P+背发射区)开始,先在单晶硅的背面生成低掺杂的P+发射区,然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成N十缓冲区、MOS结构。 NPT-IGBT芯片的生产从基区(N-漂移区)开始,先在N型单晶硅的正面生成MOs结构,然后用研磨减薄工艺从背面减薄到IGBT电压规格需要L的厚度,再从背面用离子注入工艺生成集
穿通型（PT）非穿通型（NPT）场中止型（FS）IGBT及其技术的整理 PT-IGBT以数百微米厚的P+单晶为起始材料(衬底) ，之后外延N+缓冲层和N-耐压 层，复杂的正面结构在外延层上制造。这种结构的IGBT，其集电区为重掺杂厚衬底，对少数载流子电子是非透明。器件导通压降和关断损耗之间的折中，主要通过优化缓冲层结构(...
PT2022T6 是一款电容式触摸控制ASIC,支持单通道触摸输入和单路同步开关输出。适用于雾化器、车载用品、电子玩具、消费类电子产品等领域,具有低功耗、高抗干扰、宽工作电压范围、灯光无频闪、外围器件少的突出优势。 2. 主要特性 ● 工作电压范围:2.4~5.5V ● 待机电流约 6uA@VDD=5V&CMOD=10nF ● 单通道触摸输...
ECO-50VS is an inline spray cleaner that specially designed for batch cleaning of various flux residues, dust, and dirt left behind after the assembly of SIP, FCCSP, FCBGA, IGBT, microassembly modules, lead frames, SMT-PCBA soldering, and IC substrates. It ensures that all surfaces are thor...
N- 单晶 直接正面结构---研磨减薄---离子注入形成P+集电区(透明集电区) FS-IGBT 传统的NPT-IGBT是以较厚的硅片为基本的,对耐压1200V器件大概是200um厚,600V是100um厚。从图中电场强度分布曲线看到,在关断期间整个衬底中电场强度线性下降,最后到零。这种电场分布对应的掺杂浓度分布(均匀分布)是一种很差的分...
欧科变频器,选用了美国德州仪器(TI)DSP高速控制芯片、德国infineon IGBT、日本MITSUBISHI ELECTRIC IPM自动控制模块、Avago驱动芯片、德国SIEMENS滤波电容、EPCOS电容、日本 Rubycon高品质电解电容,意大利Ducati Energia吸收电容、日本LEM霍尔、日本TAMURA霍尔、Schneider开关电源等。
建议不仅更换IGBT,应该连POW板和INT板都更换。 A-B备件SST-PFB-SLC/RT480/MOX720-P4668D/A40851-138-66/80190-380-02-R 80190-378-52/08/6176M-17PT/2711-T5A8L1/2711-T10G8L1/2711-T10C15/2711-T10C10/2711-K6C20/2711-K10C1/2094-BC07-M05-S/1785-V80B/1785-V40L/1756-L55M23/1391-...
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PT泵主要由四部分组成:齿轮式输油泵、调速器(按照柴油机的转速控制输油泵的输油压力)、节流阀(控制经节流阀送到喷油器的油压)和切断阀(切断燃油供给,使柴油机熄火)。A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案
5、绝缘双极型晶体管(IGBT)特性实验 6、双向晶闸管特性研究 (二)现代电力电子器件线路实验 1、全桥DC/DC变换 2、单相SPWM交直交变频原理 (三)现代控制理论的研究实验 (1)基于IGBT的比例积分(PI)调节器的双闭环H桥可逆直流调速系统 (四)直流电机实验