·NPT-IGBT芯片的生产从基区(N-漂移区)开始,先在N型单 晶 硅的正面生成MOs结构,然后用研磨减薄工艺从背面减薄到 IGBT 电压规格需要 L的厚度,再从背面用离子注入工艺生成集电区。
答:用在IPM模块的IGBT统计在集成电路业务板块,应用于新能源汽车、光伏、工业等的IGBT大功率模块(PIM)和IGBT单管统计在分立器件业务板块。 问题5: IGBT在车规和光伏的进展情况? 答:基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在国内多家客户通过测试,并已在部分客户批量供货。IGBT单管已在国内...