IXGH32N170 TO-247 IXYS 晶体管 IGBT单IGB 2年内批次 原装正品供应 IXGH32N170 58824 IXYS TO-247-3 2年内批次 ￥150.0000元1~9 个 ￥140.0000元10~99 个 ￥120.0000元100~-- 个 深圳市群创伟业科技有限公司 1年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 ON/安森美 场效应管 FGL40N120ANDTU IGBT 晶体管...
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NPT(FS)：与PT-IGBT相比，NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低，所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽，但由于基区少子寿命很长，使得基区载流子电导调制效应更加显著，NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。FS-IGBT: FS-IGBT具有N+缓冲层...
NPT(FS):与PT-IGBT相比,NPT(FS)-IGBT的背P+发射区极薄且掺杂浓度相对较低,所以NPT-IGBT背发射区注入效率比PT-IGBT低得多。虽然NPT(FS)-IGBT背发射极注入效率较低且基区较宽,但由于基区少子寿命很长,使得基区载流子电导调制效应更加显著,NPT型IGBT的饱和压降并不比PT高。 FS:FS-IGBT具有N+缓冲层,从而所需...
PT: PT-IGBT结构中高浓度厚发射区的存在一方面增大了发射效率,增加了基区存储过剩载流子数目,另一方面器件关断时,空穴无法从背P+区流出而只能在n-基区靠自身复合而消失,导致明显的拖尾电流,从而延缓器件的关断,关断时间的加长导致了器件关断损耗的增加。因此,为了改善PT-IGBT的关断速度,通常需要引入少子寿命控制技术。
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相比之下,在NPT-IGBT中,由于背面发射极电流中电子流成分较大,器件关断时,大量储存在基区的电子可以快速通过背面流出,而空穴则迅速流向P阱,因此拖尾电流较小,开关损耗也较低。因此,NPT-IGBT不需要使用少子寿命控制技术。此外,NPT型IGBT的一个显著优点是在关断时,拖尾电流随着温度的变化很小,因此具有较高的可靠性。
Microchip IGBT-NPT-600V是一款灵活迅速的功率模块 IGBT-NPT-600V是Microchip推出的一款功率模块，这款功率模块能够快速响应，实现高频操作，犹如一位敏捷的舞者，灵活地穿梭于舞台，舞姿流畅自然。在转换过程中损耗更小，发热量更低，轻盈地跳跃着，舞姿曼妙动人。型号规格 品牌：Microchip型号：IGBT-NPT-600V类别：...
表1 PT-IGBT与NPT-IGBT的差别 PT与NPT生产工艺的区别如下: ·PT-IGBT芯片的生产从集电区(P+背发射区)开始,先在单 晶 硅的背面生成低掺杂的P+发射区,然后用外延工艺在单晶硅的正面依次生成N十缓冲区、MOS结构。 ·NPT-IGBT芯片的生产从基区(N-漂移区)开始,先在N型单 晶 硅的正面生成MOs结构,然后用研磨...
PT与NPT结构与原理对比-PT-IGBT很好地解决了IGBT的闩锁问题,但是需要增加外延层厚度,技术复杂,成本也高。IGBT芯片中的外延层与电压规格是直接相关的,电压规格越高、外延层越厚,IZOOV、2000V的PT-IGBT外延层厚度分别达到了100μm和200μm。