本发明涉及一种注入增强型SiC PNMIGBT器件及其制备方法.该制备方法包括:利用热壁LPCVD工艺在SiC衬底连续生长过渡层,第一漂移层,缓冲层,集电层;利用CMP工艺,去除SiC衬底和过渡层,刻蚀第一漂移层,形成第一沟槽,利用热氧化工艺在第一沟槽淀积氧化层;利用热壁LPCVD工艺在第一漂移层和第一沟槽表面生长第二漂移层;利用...
本发明涉及一种新型肖特基接触注入增强型SiC PNMIGBT器件其制备方法.该制备方法包括:在SiC衬底连续生长过渡层,第一漂移层,缓冲层,集电层;刻蚀第一漂移层形成第一沟槽,淀积第一氧化层;生长第二漂移层;在第二漂移层上生长P型阱区,在P型阱区形成P+掺杂区,P接触区和N+发射区;刻蚀制备第二沟槽,形成埋氧化层;在...
本发明涉及一种新型肖特基接触注入增强型SiC PNMIGBT器件其制备方法.该制备方法包括:在SiC衬底连续生长过渡层,第一漂移层,缓冲层,集电层;刻蚀第一漂移层形成第一沟槽,淀积第一氧化层;生长第二漂移层;在第二漂移层上生长P型阱区,在P型阱区形成P+掺杂区,P接触区和N+发射区;刻蚀制备第二沟槽,形成埋氧化层;在...
本发明涉及一种新型肖特基接触注入增强型SiC PNMIGBT器件其制备方法.该制备方法包括:在SiC衬底连续生长过渡层,第一漂移层,缓冲层,集电层;刻蚀第一漂移层形成第一沟槽,淀积第一氧化层;生长第二漂移层;在第二漂移层上生长P型阱区,在P型阱区形成P+掺杂区,P接触区和N+发射区;刻蚀制备第二沟槽,形成埋氧化层;在...
本发明涉及一种新型肖特基接触注入增强型SiC PNMIGBT器件其制备方法.该制备方法包括:在SiC衬底连续生长过渡层,第一漂移层,缓冲层,集电层;刻蚀第一漂移层形成第一沟槽,淀积第一氧化层;生长第二漂移层;在第二漂移层上生长P型阱区,在P型阱区形成P+掺杂区,P接触区和N+发射区;刻蚀制备第二沟槽,形成埋氧化层;在...
本发明涉及一种基于埋氧化层的SiC PNM IGBT及其制备方法,其中,所述制备方法包括:选取SiC衬底;所述SiC衬底表面连续生长过渡层,第一N漂移层,N+缓冲层和P+集电层;去除SiC衬底及过渡层;生长氧化层,并使所述氧化层填满沟槽;磨掉所述第一N漂移层上的氧化物,保留沟槽内部的氧化层形成埋氧化层;在第一N漂移层和所...
本发明涉及一种新型肖特基接触注入增强型SiC PNMIGBT器件其制备方法.该制备方法包括:在SiC衬底连续生长过渡层,第一漂移层,缓冲层,集电层;刻蚀第一漂移层形成第一沟槽,淀积第一氧化层;生长第二漂移层;在第二漂移层上生长P型阱区,在P型阱区形成P+掺杂区,P接... 张玉明,姜珊,张艺蒙,... 被引量: 0发表: 20...
本发明涉及一种基于埋氧化层的SiC PNM IGBT及其制备方法,其中,所述制备方法包括:选取SiC衬底;所述SiC衬底表面连续生长过渡层,第一N漂移层,N+缓冲层和P+集电层;去除SiC衬底及过渡层;生长氧化层,并使所述氧化层填满沟槽;磨掉所述第一N漂移层上的氧化物,保留沟槽内部的氧化层形成埋氧化层;在第一N漂移层和所...
在所述N漂移区中形成P型阱区;在所述P型阱区中形成P+区,P区及N+发射区;在所述N漂移区上生长栅极;制作电极以完成所述SiC PIGBT的制备.本发明提供的肖特基接触增强型SiC PIGB,与传统IGBT相比,通过增加发射极肖特基接触金属层的方式,抬高了基区的电势,起到了阻挡载流子的作用,从而减小了导通电阻,降低了器件...