2、认为Low k与High k是相互矛盾的技术,且半导体业者都纷纷标榜Low k、High k等新制程技术能为芯片电路带来新的提升效益,因此迷惑也就加深,所以以下本文将对此进行更多讨论。一、LOW-K在集成电路内部,由于ILD(Inter Layer Dielectrics,层间电介质)的存在,导线之间就不可避免地存在分布电容,或者称之为寄生电容。分...
一、LOW-K 在集成电路内部,由于ILD(Inter Layer Dielectrics,层间电介质)的存在,导线之间就不可避免地存在分布电容,或者称之为寄生电容。分布电容不仅影响芯片的速度,也对工作可靠性构成严重威胁。从电容器容量计算公式中我们可以看出,在结构不变的情况下,减少电介质的k值,可以减小电容的容量。因此,使用low-k电介质...
This paper reports on the influence of high-k and low-k dielectric passivation on the drain current performance of GaN HEMTs. Four different dielectric materials, namely, SiNx, \\({\\mathrm{Al}}_{2}{\\mathrm{O}}_{3}\\), \\({\\mathrm{HfO}}_{2},\\) and \\({\\mathrm{SiO}}...
一、LOW-K 在集成电路内部,由于ILD(Inter Layer Dielectrics,层间电介质)的存在,导线之间就不可避免地存在分布电容,或者称之为寄生电容。分布电容不仅影响芯片的速度,也对工作可靠性构成严重威胁。从电容器容量计算公式中我们可以看出,在结构不变的情况下,减少电介质的k值,可以减小电容的容量。因此,使用low-k电介质...
介电常数k>3.9时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2。[1] 所谓High-K电介质...
1、High-K和Low-K电介质材料不同电介质白介电常数k相差很大,真空的k值为1,在所有材料中最低; 空气的k值为1.0006;橡胶的k值为2.53.5;纯洁水的k值为81.工程上根据 k值的不同,把电介质分为高khigh-k电介质和低klow-k电介质两类.介电常 数k 3.9时,判定为high-k;而k03.9时那么为low-k.IBM将low-k...
介电常数k>3.9时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2。[1] 所谓High-K电介质...
High-K和Low-K电介质材料.docx,High-K 和 Low-K 电介质材料 不同电介质的介电常数 k 相差很大,真空的 k 值为 1,在所有材料中最低; 空气的 k 值为 1.0006;橡胶的 k 值为 2.5～3.5;纯净水的 k 值为 81。工程上根 据 k 值的不同,把电介质分为高 k(high-k)电介质和低 k(lo
High-K和Low-K电介质材料不同电介质的介电常数k相差很大,真空的k值为1,在所有材料中最低;空气的k值为1.0006;橡胶的k值为2.5～3.5;纯净水的k值为81。工程上根据k值的不同,把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常数k>3.9时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k...
Ultralow-k silicon containing fluorocarbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition Low dielectric constant materials as interlayer dielectrics (ILDs) offer a way to reduce the RC time delay in high-performance ultra-large-scale integratio... Y Jin,PK Ajmera,GS Lee,... - 《Jo...