相比之下,基于eGaN FET的转换器的磁芯设计具最小漏电感及特意在高出75%开关频率下转换。这样,虽然轻负载效率较低,但在大约509%负载时,eGaN FET的原型不但具相等效率,并在转换器总损毵相似下,在满负载条件时所产生高出25%的功率。 图1 基于eGaN FET原型与基于商用MOSFET(D转换器)的半砖式供电设备转换器的效率...
但是,高开关频率会导致更多的损耗和更低的FET效率,因此优化功率器件的品质因数(FoM),即Rds(on)×Qg,或优化沟道电阻和栅极电荷以降低传导损耗和开关损耗至关重要。 表1:Si、SiC和GaN的特性。 一般来说,GaN FET的最高电压约为650V,应用功率约为10kW,而750V和...
在互补整流器FET被接通前,PFC保持在之前的运行状态中,此时,施加到升压电感器上的电压几乎为零,而有源GaN FET运行在几乎满占空比状态下。在这一点上,接通互补整流器FET,或者在有源开关和同步开关之间变换GaN FET的这两个功能,会在升压电感器中形成大电压二次浪涌,并因此导致一个较大的电流尖峰。理论上,在理想AC...
但是,高开关频率会导致更多的损耗和更低的FET效率,因此优化功率器件的品质因数(FoM),即Rds(on)×Qg,或优化沟道电阻和栅极电荷以降低传导损耗和开关损耗至关重要。 表1:Si、SiC和GaN的特性。 一般来说,GaN FET的最高电压约为650V,应用功率约为10kW,而750V和1200V SiC FET并不罕见,应用功率从1kW到数兆瓦不等...
2019年9月26 日– 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并...
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有...
因此,设计师往往需要将现有的控制器进行调整,以适配GaNFET。LT8390A是一款优秀的控制器,其最高开关频率可达2MHz,具有短至25ns的死区时间,特别适合用于设计四开关降压-升压方案。 GaNFET的优越性表现在其更低的开关损耗上,这使得在相同的输出功率下,其工作效率明显优于硅MOSFET。然而,在实际应用中,GaNFET对驱动...
2019年9月26 日– 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓(GaN)电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并专门针对...
PC1210是一款60V半桥GaN驱动器,专为高频率、高效率的应用而开发, 具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及5ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。芯片内置LDO,提供与电源电压无关的5V栅极驱动器电压。 PC1210具有两种输入控制模式:独立输入模式(IIM) 和PWM 模式。在IIM 模式中,每个输出都由专用输入独立控制。在...
2019年9月26 日– 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics ) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并专...