没有GaN Mosfet这种器件。目前的Mosfet都是基于Si或者SiC的。而用GaN为材料做的开关器件，目前最流行的...
功能描述 PC1210是一款60V半桥GaN驱动器,专为高频率、高效率的应用而开发, 具有可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及5ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。芯片内置LDO,提供与电源电压无关的5V栅极驱动器电压。 PC1210具有两种输入控制模式:独立输入模式(IIM) 和PWM 模式。在IIM 模式中,每个输出都由专用输入独立...
但是,高开关频率会导致更多的损耗和更低的FET效率,因此优化功率器件的品质因数(FoM),即Rds(on)×Qg,或优化沟道电阻和栅极电荷以降低传导损耗和开关损耗至关重要。 表1:Si、SiC和GaN的特性。 一般来说,GaN FET的最高电压约为650V,应用功率约为10kW,而750V和1200V SiC FET并不罕见,应用功率从1kW到数兆瓦不等...
在互补整流器FET被接通前,PFC保持在之前的运行状态中,此时,施加到升压电感器上的电压几乎为零,而有源GaN FET运行在几乎满占空比状态下。在这一点上,接通互补整流器FET,或者在有源开关和同步开关之间变换GaN FET的这两个功能,会在升压电感器中形成大电压二次浪涌,并因此导致一个较大的电流尖峰。理论上,在理想AC...
2019年9月26 日– 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics ) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并专...
拓扑简化:集成GaN FET使拓扑结构更简单,如图腾柱功率因数校正,降低转换损耗,简化热设计并减小散热器尺寸。 效率与成本节约:在相同尺寸的1U机架服务器中,GaN器件实现的功率密度是硅MOSFET的两倍,同时达到99%的效率。对于每天转换30 kW电力的服务器农场,每月可节省超过27 kW的电力,相当于每月节省约2,...
2019年9月26 日– 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓(GaN)电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并专门针对...
GaNFET没有体二极管,导通和关断的速度比硅MOSFET快得多。GaNFET可以在2 V至4 V的电压下导通,而二极管的典型导通电压为0.7 V。导通电压乘以导通电流,可能导致死区时间内的功率损耗增加近6倍。功率损耗的增加,加上较长的死区时间,可能造成FET过热和损坏。比较好的解决方案是尽量缩短死区时间。然而,原本用于硅FET的控...
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有...
没有专门用于驱动GaNFET的控制器时,如何使用GaNFET设计四开关降压-升压DC-DC转换器? 回答 众所周知,GaNFET比较难驱动,如果使用原本用于驱动硅(Si)MOSFET的驱动器,可能需要额外增加保护元件。适当选择正确的驱动电压和一些小型保护电路,可以为四开关降压-升压控制器提供安全、一体化、高频率GaN驱动。